[发明专利]一种IGBT器件用双层导电膜电连接结构在审
| 申请号： | 201410066895.9 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104867891A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 吴磊 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 双层 导电 连接 结构 | ||
1.一种IGBT器件用双层导电膜电连接结构，其特征在于：包括底板、设于所述底板上的第一导电薄膜、设于所述第一导电薄膜上的多个IGBT芯片和二极管芯片，所述IGBT芯片的发射极、二极管芯片和外部电路之间，各个IGBT芯片的栅极之间以及各个IGBT芯片的栅极与外部电路之间通过第二导电薄膜实现电性连接。
2.根据权利要求1所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述第一导电薄膜采用柔性电路板结构、透明导电膜结构、埋入型导电膜结构或薄型金属片中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述第一导电薄膜包括绝缘薄膜层和导电金属层。
4.根据权利要求3所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述导电金属层设置于绝缘薄膜层的表面或者嵌入所述绝缘薄膜层中。
5.根据权利要求1所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述第一导电薄膜通过银浆与IGBT芯片的集电极以及二极管芯片进行电性连接。
6.根据权利要求1所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述第一导电薄膜通过导热绝缘材料与底板粘贴。
7.根据权利要求1所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述第二导电薄膜采用柔性电路板结构、透明导电膜结构、埋入型导电膜结构或薄型金属片中的一种。
8.根据权利要求1或7所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述第二导电薄膜包括绝缘薄膜层和导电金属层。
9.根据权利要求8所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述导电金属层设置于绝缘薄膜层的表面或者嵌入所述绝缘薄膜层中。
10.根据权利要求1所述的双层导电膜电连接结构，其特征在于：所述第二导电薄膜通过银浆与IGBT芯片的发射极、栅极以及二极管芯片进行电性连接。
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