[发明专利]一种基于Ce:YAG晶片的复合结构及制作方法有效
| 申请号： | 201410067883.8 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103805196A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 曹顿华;梁月山;马可军 | 申请（专利权）人： | 昆山开威电子有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 魏亮芳 |
| 地址： | 215345 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ce yag 晶片 复合 结构 制作方法 | ||
1.一种基于Ce:YAG晶片的复合结构，其特征在于：包括Ce:YAG晶片及固定在所述Ce:YAG晶片上的红光发光层。
2.根据权利要求1所述的基于Ce:YAG晶片的复合结构，其特征在于：所述红光发光层的主发光峰为580nm～660nm。
3.根据权利要求2所述的基于Ce:YAG晶片的复合结构，其特征在于：所述红光发光层为发红光的镀膜层。
4.根据权利要求2所述的基于Ce:YAG晶片的复合结构，其特征在于：所述红光发光层是掺杂红光荧光粉的透明胶体层。
5.根据权利要求2所述的基于Ce:YAG晶片的复合结构，其特征在于：所述红光发光层是掺杂红光发光中心的晶体、陶瓷或玻璃中的一种。
6.一种基于Ce:YAG晶片的复合结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)通过提拉法、温度梯度法或者泡生法制作Ce:YAG晶片；
(2)对步骤(1)制得的Ce:YAG晶片切磨抛光得到所需尺寸的荧光晶片；
(3)在步骤(2)制得的荧光晶片上增加红光发光层。
7.根据权利要求6所述的一种基于Ce:YAG晶片的复合结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中红光发光层为采用物理或化学气相沉积方法镀的红光发光膜。
8.根据权利要求6所述的一种基于Ce:YAG晶片的复合结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中红光发光层为掺杂红光荧光粉的的透明胶体层。
9.根据权利要求6所述的一种基于Ce:YAG晶片的复合结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中红光发光层为固定在荧光晶片上并掺杂稀土或者过渡金属红光发光中心的晶体、陶瓷或玻璃中的一种。
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