[发明专利]具有单独的管芯间互连的多管芯封装

权利要求书

1. 一种多管芯封装，包括：

衬底，其具有多个导电区；

第一半导体管芯，其具有第一和第二相反的侧、在第一侧处连接到导电区的第一导电区的第一电极以及在第二侧处的第二电极；

第二半导体管芯，其具有第一和第二相反的侧、在第一侧处连接到导电区的第二导电区的第一电极以及在第二侧处的第二电极；

第一金属层，其从衬底的外围区延伸以在第一管芯之上，第一金属层具有总体矩形横截面积，并且将导电区的在衬底的外围区中的一个导电区连接到第一管芯的第二电极；以及

第二金属层，其与第一金属层分离并且在第一和第二管芯上延伸，第二金属层具有总体矩形横截面积，并且将第一管芯的第二电极连接到第二管芯的第二电极。

2. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第一金属层具有连接到第一管芯的第二电极的第一侧和连接到第二金属层的与第一侧相反的第二侧。

3. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第一金属层连接到第一管芯的第二电极的第一部分，并且第二金属层连接到第一管芯的第二电极的不同于第一部分的第二部分。

4. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第一金属层在平面中延伸，并且第二金属层在相同平面中与第一金属层分离开。

5. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第一金属层在第一平面中延伸，并且第二金属层在不同于第一平面的第二平面中与第一金属层平行地延伸。

6. 根据权利要求5所述的多管芯封装，其中第二金属层以介于5°与90°之间的角度从第一金属层延伸。

7. 根据权利要求6所述的多管芯封装，其中第二金属层以介于30°与45°之间的角度从第一金属层延伸。

8. 根据权利要求6所述的多管芯封装，其中第二金属层以约90°的角度从第一金属层延伸。

9. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第一金属层包括连接到导电区的在衬底的外围区中的一个导电区并且延伸远离衬底的较小区段，和从较小区段延伸到第一管芯的第二电极的较大区段。

10. 根据权利要求9所述的多管芯封装，其中，第一金属层的较小和较大区段具有单个连续构造。

11. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第二金属层包括连接到第二管芯的第二电极并且延伸远离第二管芯的较小区段，和从较小区段延伸到第一金属层背对第一管芯的侧的较大区段。

12. 根据权利要求11所述的多管芯封装，其中，第二金属层的较小和较大区段具有单个连续构造。

13. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第二金属层是具有均匀平面构造的单个体。

14. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中，第一金属层是具有焊接到导电区的在衬底的外围区中的一个导电区的第一端和焊接到第一管芯的第二电极的第二端的金属夹，并且其中，第二金属层是具有焊接到第一管芯的第二电极的第一端和焊接到第二管芯的第二电极的第二端的金属夹。

15. 根据权利要求1所述的多管芯封装，还包括密封材料，其密封衬底、第一管芯、第二管芯、第一金属层以及第二金属层。

16. 根据权利要求1所述的多管芯封装，其中：

第一管芯是半桥转换器电路的低侧晶体管，并且第二管芯是半桥转换器电路的高侧晶体管；

第一管芯的第一电极是低侧晶体管的源极电极；

第一管芯的第二电极是低侧晶体管的漏极电极；

第二管芯的第一电极是高侧晶体管的漏极电极；

第二管芯的第二电极是高侧晶体管的源极电极；

第一金属层将衬底的指明为半桥转换器电路的输出的导电区连接到低侧晶体管的漏极电极；以及

第二金属层将低侧晶体管的漏极电极连接到高侧晶体管的源极电极。