[发明专利]静态存储单元

说明书

技术领域

本发明是有关于一种静态存储单元。

背景技术

静态存储器是一种为人们所熟知的静态随机存取存储器。在已知的技术领域中，静态存储器中的静态存储单元利用两个反向器的电路结构来形成闩锁电路，并藉此将位数据闩锁以进行储存。

已知的静态存储器，随着制程技术的精进，在高精细度例如奈米制程的集成电路中，静态存储器中的静态存储单元容易因为制程参数的飘移，而产生位数据写入困难，甚至导致位数据写入失败的现象。因此，提供一种具有稳定的位数据写入能力，可高速运作，也可以抵抗制程飘移的静态存储单元为本领域设计者所重视的一项重要课题。

发明内容

本发明提供多种静态存储单元，有效提升其数据写入的能力。

本发明的静态存储单元，包括数据闩锁电路以及电压供应器。数据闩锁电路用以储存位数据。数据闩锁电路具有相互耦接的第一及第二反向器，第一及第二反向器分别接收第一电压以及第二电压以作为电源电压。电压供应器耦接数据闩锁电路以提供第一电压及第二电压至数据闩锁电路。其中，当位数据写入数据闩锁电路时，电压供应器依据位数据以调整第一电压或第二电压的电压值。

本发明还提出一种静态存储单元，包括数据闩锁电路、第一电压供应器以及第二电压供应器。数据闩锁电路用以储存位数据，数据闩锁电路具有相互耦接的第一及第二反向器，第一及第二反向器分别接收第一电压以及第二电压以作为操作电压，第一及第二反向器并分别接收第三电压以及第四电压以作为参考接地电压。第一电压供应器耦接数据闩锁电路以提供第一电压及第二电压至数据闩锁电路。第二电压供应器耦接数据闩锁电路以提供第三电压及第四电压至数据闩锁电路。其中，当位数据写入数据闩锁电路时，电压供应器依据位数据以调整第一及第四电压或第二及第三电压的电压值。

本发明还提出另一种静态存储单元，包括数据闩锁电路以及电压供应器。数据闩锁电路用以储存位数据，数据闩锁电路具有相互耦接的第一及第二反向器，第一及第二反向器接收输出电压以作为操作电压。电压供应器耦接数据闩锁电路并提供输出电压。电压供应器包括三态反向器以及开关。三态反向器的输出端耦接至三态反向器的输入端以耦接至输出端，输出端提供输出电压至数据闩锁电路，三态反向器受控于电压供应致能信号。开关串接在数据闩锁电路与电源操作电压间，依据数据闩锁电路是否进行数据写入操作以断开或导通。

基于上述，本发明实施例依据所要写入的位数据，来调整静态存储单元中所包括的两个反向器中，其中之一所接收的电源电压。本发明另一实施例的静态存储单元则利用输入与输入端相耦接的三态反向器，使静态存储单元写入数据时，可适度地调整数据闩锁电路的操作电压。如此一来，位数据写入至静态存储单元的速度可有有效被提升，其写入的能力也可以被增加，即便在制程参数产生飘移的状态下，静态存储单元的位数据的写入能力也不致改变。有效提升静态存储单元的数据储存的表现。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1绘示本发明一实施例的静态存储单元100的示意图。

图2绘示本发明另一实施例的静态存储单元200的示意图。

图3绘示本发明再一实施例的静态存储单元300的示意图。

图4A绘示本发明一实施例的电压产生器410的实施方式的示意图。

图4B绘示本发明另一实施例的电压产生器420的实施方式的示意图。

图5A绘示本发明再一实施例的电压产生器510的实施方式的示意图。

图5B绘示本发明更一实施例的电压产生器520的实施方式的示意图。

图6A绘示本发明更一实施例的电压产生器610的实施方式的示意图。

图6B绘示本发明更一实施例的电压产生器620的实施方式的示意图。

图7A以及图7B分别绘示本发明实施例的数据闩锁电路的不同实施方式的示意图。

图8绘示本发明更一实施例的静态存储单元800的实施例的示意图。

图9A～图9C分别绘示三态反向器不同的实施方式的示意图。

[标号说明]

具体实施方式