[发明专利]刻蚀方法与刻蚀组成物

权利要求书

1.一种刻蚀方法，包括：

提供一衬底；

进行一刻蚀，以在该衬底中形成至少一开口；以及

进行一辅助刻蚀，以移除该开口中的至少一刻蚀残留物，进行该辅助刻蚀包括：

在该开口中形成一辅助刻蚀层，以覆盖该刻蚀残留物，其中该辅助刻蚀层中包括一刻蚀成分；以及

对该辅助刻蚀层进行一处理工艺，藉此使该刻蚀成分刻蚀该刻蚀残留物；

其中该辅助刻蚀层包括：介质、位于该介质中的载体，及包覆在该载体中的刻蚀成分；该介质为流体，以形成具有流动性的辅助刻蚀层；

该处理工艺包括：对该辅助刻蚀层施加一能量或使该辅助刻蚀层暴露于一气体下。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中该能量包括热、射线、照光、微波、辐射、重力、离心力、电场、磁场、机械能或其组合。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中该气体包括臭氧。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中该刻蚀成分包括碱金属氢氧化物、四级铵氢氧化物、氢氟酸、氢氟酸与无机酸的混合物、氢氟酸与有机酸的混合物、含氟气体或其组合。

5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中该载体包括多孔材料，该多孔材料包括活性碳、纳米多孔材料、纳米碳管或其组合。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中该载体包括胶囊，该处理工艺使得该辅助刻蚀层中的该胶囊破裂，藉此释放出该刻蚀成分。

7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其中该胶囊的材料包括热塑性树脂、感旋旋光性树脂或其组合。

8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中该介质包括有机材料，该有机材料包括光刻胶、底抗反射层(BARC)或旋涂式玻璃(SOG)。

9.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中该介质包括无机材料。

10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中在该开口中形成该辅助刻蚀层的步骤包括：

在该衬底上形成该辅助刻蚀层，该辅助刻蚀层至少填满该开口；以及

移除部分该辅助刻蚀层。

11.一种刻蚀组成物，包括：

一介质；

一载体，位于该介质中；以及

一刻蚀成分，包覆在该载体中；

其中，该介质为流体，该载体包括多孔材料或胶囊，该多孔材料包括活性碳、纳米多孔材料、纳米碳管或其组合，该胶囊的材料包括热塑性树脂、感旋旋光性树脂或其组合。

12.根据权利要求11所述的刻蚀组成物，其中该刻蚀成分包括碱金属氢氧化物、四级铵氢氧化物、氢氟酸、氢氟酸与无机酸的混合物、氢氟酸与有机酸的混合物、含氟气体或其组合。

13.根据权利要求1l所述的刻蚀组成物，其中该介质包括有机材料，该有机材料包括光刻胶、底抗反射层(BARC)或旋涂式玻璃(SOG)。

14.根据权利要求11所述的刻蚀组成物，其中该介质包括无机材料。