[发明专利]高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法

权利要求书

1.一种高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法，具有如下步骤：

（1）将Na₂CO₃、Bi₂O₃、TiO₂按质量比3:15:10配料，与去离子水混合球磨6h后烘干并于800℃煅烧，制得Na_0.5Bi_0.5TiO₃粉末；

（2）将步骤（1）制得的Na_0.5Bi_0.5TiO₃粉末与BaTiO₃和Nb₂O₅按质量比1:3.0～7.0:0.1～0.15配料，在与去离子水混合球磨2～8h，烘干并于750～1000℃煅烧，得到熔块；

（3）将Bi₂O₃、Pb₃O₄、ZnO、H₃BO₃按质量百分比5:4:8:3配料，与酒精中混合球磨10h烘干，熔融淬冷、磨细、过筛，制得玻璃粉；

（4）再将步骤（2）得到的熔块按100g计，加入1～10g ZnO，8g玻璃粉，及0.1～0.8g CeO₂配料；再将原料与去离子水混合球磨2～8h并烘干；

（5）将步骤（4）烘干的原料外加质量百分比为5.5～8%的石蜡造粒，然后过1000孔/cm²分样筛，在4～10Mpa压强下压制成生坯；

（6）将步骤（5）压好的生坯经2～6h升温至550℃排蜡，再经1～5h升温至1100～1150℃烧结，保温0.5～5h，制得高介电常数超宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质；

（7）将步骤（6）制得的高介电常数超宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质的上下表面均匀涂覆银浆，经850℃烧渗制备电极，测试其介电性能。

2.根据权利要求1所述的高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法，其特征在于，所述步骤（6）优选的烧结温度为1150℃。