[发明专利]纳米结构的转移方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种纳米结构的转移方法。

背景技术

利用化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）生长纳米结构取决于基底的材料及形状，例如，横向单壁碳纳米管（single-walled carbon nanotubes，SWCNTs）需要在石英基底上生长，大面积的石墨烯需要在铜箔上生长。然而，利用所述纳米结构制作电子设备时常常需要将该纳米结构设置于硅片或柔性基底上。因此，业界发展了纳米结构的转移技术，以便将所述纳米结构从生长基底上转移到目标基底上。

现有技术中一般是利用一牺牲层对纳米结构进行转移，所述牺牲层由有机物制备，例如PMMA（poly(methyl methacrylate)）。先在纳米结构上涂覆一有机物，该有机物干燥后形成牺牲层，然后所述牺牲层连接着纳米结构从生长基底上剥离并粘在目标基底上，最后利用丙酮将所述有机物溶解或者利用高温将所述有机物分解。然而，上述方法不能完全将有机物清除，纳米结构和目标基底上残留一些有机物，影响了纳米结构的后续应用。而且，利用高温清除有机物的方法需要目标基底耐高温，否则目标基底在高温下会遭到破坏。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种纳米结构的转移方法，该方法不需要高温且没有残留物存在。

一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底表面具有一纳米结构层；提供一粘胶层覆盖所述纳米结构层，该粘胶层具有相对的第一表面和第二表面，所述纳米结构层与所述第一表面接触；通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个，使所述粘胶层远离所述生长基底，从而使所述纳米结构层被所述粘胶层粘附并与所述生长基底分离，至少部分纳米结构层从所述粘胶层暴露出来；提供一目标基底，将该粘胶层与所述目标基底层叠设置，使所述纳米结构层位于所述粘胶层与所述目标基底之间，并与所述目标基底接触设置；在所述粘胶层的第二表面设置一金属层；提供一有机溶剂，使该有机溶剂从所述粘胶层的第一表面渗透，使所述粘胶层连同所述金属层与所述纳米结构层及目标基底分离。

一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底的表面设置有一纳米结构层；通过一粘胶层使所述纳米结构层与所述第一基底分离，分离后的所述纳米结构层至少部分从所述粘胶层暴露出来；提供一第二基底，将所述第二基底和所述粘胶层层叠设置，并使所述纳米结构层位于所述第二基底和所述粘胶层之间，所述至少部分从所述粘胶层暴露出来的纳米结构层与所述第二基底的表面接触；提供一有机溶剂，使该有机溶剂从粘胶层靠近第二基底的表面渗透，使所述粘胶层与所述纳米结构层及第二基底分离。

一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底的表面设置有一纳米结构层；提供一第二基底，该第二基底的表面具有一粘胶层；将该第二基底表面的粘胶层与所述第一基底表面的纳米结构层接触；通过移动所述第一基底和所述第二基底中至少一个，使所述纳米结构层与所述第一基底分离，分离后的纳米结构层至少部分从所述粘胶层暴露出来；提供一第三基底，将所述第二基底和第三基底层叠设置，并使所述纳米结构层位于所述第二基底和第三基底之间，所述至少部分从粘胶层暴露出来的纳米结构层与所述第三基底的表面接触；提供一有机溶剂，使该有机溶剂从粘胶层靠近第三基底的表面渗透，使所述第二基底连同所述粘胶层与所述纳米结构层及第三基底分离，从而使所述纳米结构层被转移到所述第三基底的表面。

与现有技术相比，本发明提供的纳米结构的转移方法中，利用粘胶层将所述纳米结构层转移到目标基底上后，通过有机溶剂从粘胶层与纳米结构层的界面向内渗透，能够使得纳米结构和目标基底上的粘胶层被完全清除，并且该方法在常温下进行，不需要高温。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的纳米结构的转移方法的工艺流程图。

图2为本发明第一实施例提供的单壁碳纳米管的扫描电镜照片。

图3为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中30秒的光学照片。

图4为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中60秒的光学照片。

图5为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中90秒的光学照片。

图6为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中300秒的光学照片。