[发明专利]一种保护膜的真空镀膜方法有效
申请号: | 201410071761.6 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN103774143A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 黄伟雄 | 申请(专利权)人: | 东莞星晖真空镀膜塑胶制品有限公司 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C16/44;C23C14/26 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 卞华欣 |
地址: | 523710 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护膜 真空镀膜 方法 | ||
1.一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:包括以下制备步骤:
步骤1:抽真空:将待镀膜产品置于真空室,然后抽真空至5*10-3 Pa - 6*10-2Pa,同时加热至95-120℃,使容器的上层形成水蒸气;
步骤2:镀金属膜:利用蒸发式镀金属膜的工艺镀金属膜;
步骤3:镀完金属膜之后通空气:关闭扩散泵,打开分子栅,通过流量计向真空室充入空气,并稳定真空度在0-20Pa保持0.2-1分钟;
步骤4:清洁金属膜表面:启动离子轰击电源,调节轰击电流稳定在1-8A,持续时间1-3分钟,然后关闭;
步骤5:然后镀保护膜:充入有机硅的液体蒸汽,并保持气压不变0.2-1分钟,再次启动离子轰击电源,调节轰击电流稳定在1-8A,然后保持3-8分钟,使有机硅在金属膜上逐层生长形成保护膜。
2.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述有机硅包括96-99%的六甲基二硅氧烷和1-4%的丙烷类溶剂。
3.根据权利要求2所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述有机硅包括99%的六甲基二硅氧烷和1%的丙烷类溶剂。
4.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述步骤1的抽真空为三级抽真空,第一级利用滑阀式真空泵抽真空至1000Pa,第二级利用罗茨泵抽真空至1-3Pa,第三级利用扩散泵抽真空至6*10-2 Pa - 5*10-3Pa。
5.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述金属膜的金属材料为铝、银、铬、锡、铟、铟锡合金中的任一种。
6.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述步骤2中的金属膜材料为铝,镀铝膜前,将真空室的各个独立转轴开始同步旋转,第一步预热至80-120℃保持30-50秒,第二步是预熔,温度升至250-300℃保持10-25秒,让铝丝达到熔融的状态;第三步,蒸发3-8秒,进一步提高钨丝的电压,增大钨丝电流至温度达700℃以上,使钨丝成炽热状态,上面的液体铝变为气态分子蒸发到旋转中的产品的各个表面,形成一层铝膜,厚度10-35nm。
7.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述步骤2中的金属膜材料为铝,镀铝膜前,将真空室的各个独立转轴开始同步旋转,第一步预热至90-110℃保持30-50秒,第二步是预熔,温度升至280-290℃保持10-25秒,让铝丝达到熔融的状态;第三步,蒸发3-8秒,进一步提高钨丝的电压,增大钨丝电流至温度达700℃以上,使钨丝成炽热状态,上面的液体铝变为气态分子蒸发到旋转中的产品的各个表面,形成一层铝膜,厚度10-25nm。
8.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述步骤5中的保护膜的厚度为10-30nm。
9.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法,其特征在于:所述步骤1中的真空室为立式双门真空室。
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