[发明专利]一种保护膜的真空镀膜方法

权利要求书

1.一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：包括以下制备步骤：

步骤1：抽真空：将待镀膜产品置于真空室，然后抽真空至5*10^-3 Pa - 6*10^-2Pa，同时加热至95-120℃，使容器的上层形成水蒸气；

步骤2：镀金属膜：利用蒸发式镀金属膜的工艺镀金属膜；

步骤3：镀完金属膜之后通空气：关闭扩散泵，打开分子栅，通过流量计向真空室充入空气，并稳定真空度在0-20Pa保持0.2-1分钟；

步骤4：清洁金属膜表面：启动离子轰击电源，调节轰击电流稳定在1-8A，持续时间1-3分钟，然后关闭；

步骤5：然后镀保护膜：充入有机硅的液体蒸汽，并保持气压不变0.2-1分钟，再次启动离子轰击电源，调节轰击电流稳定在1-8A，然后保持3-8分钟，使有机硅在金属膜上逐层生长形成保护膜。

2.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述有机硅包括96-99%的六甲基二硅氧烷和1-4%的丙烷类溶剂。

3.根据权利要求2所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述有机硅包括99%的六甲基二硅氧烷和1%的丙烷类溶剂。

4.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述步骤1的抽真空为三级抽真空，第一级利用滑阀式真空泵抽真空至1000Pa，第二级利用罗茨泵抽真空至1-3Pa，第三级利用扩散泵抽真空至6*10^-2 Pa - 5*10^-3Pa。

5.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述金属膜的金属材料为铝、银、铬、锡、铟、铟锡合金中的任一种。

6.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述步骤2中的金属膜材料为铝，镀铝膜前，将真空室的各个独立转轴开始同步旋转，第一步预热至80-120℃保持30-50秒，第二步是预熔，温度升至250-300℃保持10-25秒，让铝丝达到熔融的状态；第三步，蒸发3-8秒，进一步提高钨丝的电压，增大钨丝电流至温度达700℃以上，使钨丝成炽热状态，上面的液体铝变为气态分子蒸发到旋转中的产品的各个表面，形成一层铝膜，厚度10-35nm。

7.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述步骤2中的金属膜材料为铝，镀铝膜前，将真空室的各个独立转轴开始同步旋转，第一步预热至90-110℃保持30-50秒，第二步是预熔，温度升至280-290℃保持10-25秒，让铝丝达到熔融的状态；第三步，蒸发3-8秒，进一步提高钨丝的电压，增大钨丝电流至温度达700℃以上，使钨丝成炽热状态，上面的液体铝变为气态分子蒸发到旋转中的产品的各个表面，形成一层铝膜，厚度10-25nm。

8.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述步骤5中的保护膜的厚度为10-30nm。

9.根据权利要求1所述的一种保护膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述步骤1中的真空室为立式双门真空室。