[发明专利]一种半导体器件量测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，特别是涉及一种半导体器件量测方法。

背景技术

蚀刻是半导体制造加工领域不可或缺的部分，在现行半导体制造（FAB）多晶硅半导体蚀刻过程中，不同的气体和硅反应会生成各式各样的聚合物（polymer），一部分易于挥发的polymer被泵（pump）抽走，另一部分难于挥发的polymer沉积在晶圆（wafer）残余光阻表面。氯气（Cl2）和碳氟化合物（CFx）作为反应气体生成的polymer挥发性较好，溴化氢（HBr）作为反应气体生成的polymer挥发性相对较差。

多晶硅蚀刻完厚度量测时，由于光路核心组件和wafer放置台处于同一垂直面，量测灯（LAMP）射出的光会导致wafer表面的polymer二次挥发，扩散至LAMP表面再沉积，LAMP部件产生雾化、起毛现象；同时光强持续衰减，量测发生异常。

为了保证光强在稳定区间，现有FAB中需要频繁的更换LAMP相关部件，折损费用高昂。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体器件量测方法，以解决现有半导体器件量测中量测灯损耗大、部件寿命短的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体器件量测方法，包括：蚀刻完成后的半导体器件形成光阻层，其中，所述光阻层外表面为蚀刻过程中产生的聚合物包覆；通过对应所述聚合物材质的电浆，预处理所述半导体器件，以剥离所述光阻层外表面包覆的聚合物；采用量测光源设备量测所述电浆预处理后的半导体器件。

优选的，所述剥离所述光阻层外表面包覆的聚合物后还包括：用泵吸走所剥离的光阻层外表面包覆的聚合物。

进一步优选的，所述泵为机械泵、干泵、冷泵、水泵、罗茨泵或扩散泵。

优选的，所述半导体器件为多晶硅材质。

进一步优选的，所述聚合物为溴化硅，所述电浆预处理为氧气电浆预处理。

优选的，所述量测光源设备为灯。

进一步优选的，所述灯为具有紫外线滤光镜头的灯。

进一步优选的，所述量测光源设备设在一量测机台。

优选的，所述半导体器件在所述光阻层下还形成有多晶层。

进一步优选的，所述蚀刻完成的半导体器件在所述光阻层及多晶层下还依次包括：氧化物层、基底层。

如上所述，本发明提供的一种半导体器件量测方法，由于蚀刻完成后的半导体器件形成光阻层，其中，所述光阻层外表面为蚀刻过程中产生的聚合物包覆，该量测方法通过对应所述聚合物材质的电浆，预处理所述半导体器件，以剥离所述光阻层外表面包覆的聚合物，采用量测光源设备量测所述电浆预处理后的半导体器件，从而使得量测光源设备光强的稳定性大大提高，光源部件如镜头等的使用寿命也得到了大大提升，避免所述现有的需频繁的购买及更换光源部件、机台停机等的高额成本付出。

附图说明

图1为本发明的一种半导体器件量测方法的实施例的流程示意图。

图2a至2b为本发明的半导体器件量测方法的原理图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1，本发明提供一种半导体器件量测方法，包括：

步骤S1：蚀刻完成后的半导体器件形成光阻层，其中，所述光阻层外表面为蚀刻过程中产生的聚合物包覆。

在本实施例中，所述蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻(dryetching)两类。