[发明专利]用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件制造的方法，包括：

测量衬底上的第一坐标点处的第一形貌高度；

测量所述衬底上的第二坐标点处的第二形貌高度；

提供所测量的所述第一形貌高度和所述第二形貌高度作为晶圆图；以及

使用所述晶圆图对所述衬底实施曝光工艺，其中，所述曝光工艺包括：

当曝光所述衬底上的第一坐标点时，使用第一焦点，使用所述第一形貌高度来确定所述第一坐标点处的所述第一焦点；以及

当曝光所述衬底上的第二坐标点时，使用第二焦点，使用所述第二形貌高度来确定所述第二坐标点处的所述第二焦点。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件制造的方法，其中，使用多尖端原子力显微镜(AFM)工具来同时实施所述第一形貌高度和所述第二形貌高度的测量。

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件制造的方法，其中，在曝光所述第一坐标点的同时，实施测量所述第二形貌高度。

4.根据权利要求1所述的用于半导体器件制造的方法，其中，通过确定所述第一形貌高度和与所述第一坐标点相关联的第三高度之间的偏移量值来生成所述晶圆图。

5.根据权利要求4所述的用于半导体器件制造的方法，进一步包括：

确定所述第三高度包括：使用曝光工具实施光学高度测量。

6.根据权利要求5所述的用于半导体器件制造的方法，其中，所述曝光工具是被用于曝光所述第一坐标点和所述第二坐标点的超紫外线(EUV)扫描仪。

7.根据权利要求4所述的用于半导体器件制造的方法，进一步包括：

确定所述第三高度包括：使用设计数据和工艺数据中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的用于半导体器件制造的方法，进一步包括：

提供基于空气压力计的度量工具，其中，所述基于空气压力计的度量工具实施所述衬底上的所述第一形貌高度和所述第二形貌高度的测量；

提供与所述空气压力计度量工具分离的曝光工具，其中，所述曝光工具实施所述衬底上的所述第一坐标点和所述第二坐标点的曝光；以及

在曝光之前，将所述第一形貌高度和所述第二形貌高度从所述基于空气压力计的度量工具发送至所述曝光工具。

9.根据权利要求8所述的用于半导体器件制造的方法，进一步包括：

在真空环境下，将所述衬底设置在所述曝光工具中。

10.根据权利要求1所述的用于半导体器件制造的方法，其中，在真空环境中，原位实施测量所述第一形貌高度和所述第二形貌高度以及执行所述曝光工艺。

11.一种用于半导体器件制造的系统，包括：

衬底工作台，可操作地保持晶圆；

扫描仪模块，在将所述晶圆设置在所述衬底工作台中的同时，可操作地曝光所述晶圆上的图案；以及

多尖端原子力显微镜(AFM)工具，其中，在将所述晶圆设置在所述衬底工作台上的同时，所述多尖端原子力显微镜工具的每个尖端都可操作地测量所述晶圆的高度，使用所述晶圆的高度修改衬底的相应坐标点处的光刻工艺参数。

12.根据权利要求11所述的用于半导体器件制造的系统，其中，所述衬底工作台设置在真空环境中。

13.根据权利要求11所述的用于半导体器件制造的系统，其中，所述扫描仪模块包括超紫外线(UV)辐射源。

14.根据权利要求11所述的用于半导体器件制造的系统，进一步包括：

参数控制模块，所述参数控制模块连接至所述多尖端原子力显微镜工具和所述扫描仪模块。

15.根据权利要求14所述的用于半导体器件制造的系统，其中，所述参数控制模块包括：

处理器；以及

非暂时性计算机可读存储器，可通信地连接至所述处理器并且包括由所述处理器执行的指令，所述指令包括：

从所述多尖端原子力显微镜工具接收第一测量值的指令；

使用所述第一测量值确定第一光刻工艺参数的指令；以及

将所述第一光刻工艺参数发送至所述扫描仪模块的指令。

16.根据权利要求15所述的用于半导体器件制造的系统，其中，所述第一光刻工艺参数是焦深。