[发明专利]一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法

权利要求书

1.一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法，其特征是该方法包括以下步骤：

1）在磷化铟基异质结晶体管外延材料上依次蒸发发射极金属Ti、Pt、Au，每层材料厚度范围为10纳米到1微米；

2）在发射极金属上淀积SiO₂薄膜，厚度范围为10纳米到1微米；在完成发射极金属刻蚀后，利用HF腐蚀液腐蚀SiO₂的同时，即可直接剥离掉SiO₂上面的刻蚀掩膜层；

3）在SiO₂薄膜上蒸发耐刻蚀金属层作为发射极的刻蚀掩膜，厚度范围为10纳米到1微米；

4）涂胶并完成亚微米发射极图形光刻工艺；

5）以光刻胶为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀金属掩膜层，然后去除光刻胶；

6）以金属掩膜层作为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀SiO₂层以及发射极金属Ti、Pt、Au；

7）用HF腐蚀液腐蚀SiO₂层并剥离金属掩膜层。

2.根据权利要求1所述的一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法，其特征是以一层耐刻蚀的金属掩膜层作为ICP刻蚀掩膜，刻蚀发射极金属，避免发射极金属脱落，同时获得更为平整的发射极金属边缘。

3.根据权利要求1所述的一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法，其特征是所述的金属掩膜层和发射极金属之间加入一层SiO₂层，完成发射极金属刻蚀后，通过被HF腐蚀液腐蚀掉SiO₂层，从而剥离金属掩膜层。