[发明专利]电容式触控面板结构及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电容式触控面板结构，以及该电容式触控面板的制作方法。

背景技术

电容式触控面板，如中国专利文献CN12736760A，其基本结构如图1所示，它由基板1和依次堆叠在该基板1上的遮蔽层2、第一透明导电层3、绝缘层4和第二透明导电层5构成。图中显示之结构为放大形式的显示，实际所形成的电容结构非常微小，在这种微电路结构中，电阻是影响其性能的关键指标，同时产品电阻范围是影响产品整体形成的重要指标。

在前述的内容中，关于导电层，强调其一特征为透明，在于触控面板（touch panel，又称触控屏、触摸屏）行业生产的触控面板结构一般为在玻璃基板或PET（Polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二脂）上溅镀一层或多层一定厚度的ITO（氧化铟锡导电膜），经蚀刻后形成一定形状的ITO线路，当使用者触摸时，表面行或列的交叉处感应单元的互电容会产生变化，根据上述变化触控IC（integrated circuit，集成电路）最终检测出触摸点的具体位置。ITO是一种N型氧化无半导体，其性能指标主要有两个，即电阻率和透光率（又称穿透率）。

其中本领域所使用电阻率通常是用面电阻（又称方块电阻，简称方阻）表示，如前所述，在如基板上溅镀一层或多层一定厚度的ITO，多层时各层均构造为独立的功能层，如文献12736760A中所示的第一透明导电层3和第二透明导电层5，各层均是一次溅镀成型，效率比较高。

然而，由此成型出的如透明导电层的面电阻在不同的产品个体间差别比较大，换言之，产品面电阻的分布范围比较大，且整体上面电阻相对比较高，影响触控面板的性能。

另一方面，关于透明导电层的另一项指标，也就是穿透率，在现有工艺条件下，并没有很好的进一步提高穿透率的技术手段。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种具有较高产品性能的电容式触控面板结构，同时提供一种该电容式触控面板的制作方法，。

依据本发明的一个方面，一种电容式触控面板结构，包括：

一透明基板；

一遮蔽层，由不透光的材质层堆叠于透明基板一面形成，用以遮蔽位于透明基板另一面的显示装置所发射光线；且该遮蔽层具有遮蔽图案，用以暴露出相应于该遮蔽图案的透明基板；

一第一透明导电层，配置在遮蔽层及暴露出的透明基板上；

一绝缘层，叠置在第一透明导电层上；

一第二透明导电层，该第二透明导电层包括第一亚层和第二亚层，其中第一亚层叠置在绝缘层上与第一透明导电层相对的一面，而第二亚层则镀制在第一亚层上。

依据本发明的另一个方面，一种电容式触控面板结构，包括：

一透明基板；

一遮蔽层，由不透光的材质层堆叠于透明基板一面形成，用以遮蔽位于透明基板另一面的显示装置所发射光线；且该遮蔽层具有遮蔽图案，用以暴露出相应于该遮蔽图案的透明基板；

一缓冲层，覆盖在遮蔽层及暴露出的透明基板上；

一第一透明导电层，叠置在缓冲层上；

一绝缘层，叠置在第一透明导电层上；

一第二透明导电层，该第二透明导电层包括第一亚层和第二亚层，其中第一亚层叠置在绝缘层上与第一透明导电层相对的一面，而第二亚层则镀制在第一亚层上。

依据本发明的在一个方面，一种电容式触控面板制作方法，包括以下步骤：

在给定的基板上形成一遮蔽层，其中遮蔽层由不透光的材质构成，用以遮蔽由该基板下方的显示装置所发射出的光线，且遮蔽层蚀刻有用以暴露出部分基板的遮蔽图案；

在所述遮蔽层及暴露出的基板上形成一第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上叠置绝缘层；

在绝缘层上进一步溅镀第二透明导电层的第一亚层，得到第一中间件；

将第一中间件移出溅镀工艺所处的真空室，然后再送入真空室抽真空到预定真空度；

进而在第一亚层上进一步溅镀第二透明导电层的第二亚层。

依据本发明的在一个方面，一种电容式触控面板制作方法，包括以下步骤：

在给定的基板上形成一遮蔽层，其中遮蔽层由不透光的材质构成，用以遮蔽由该基板下方的显示装置所发射出的光线，且遮蔽层蚀刻有用以暴露出部分基板的遮蔽图案；

在所述遮蔽层及暴露出的基板上形成以缓冲层；

在所述缓冲层上叠置一第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上叠置绝缘层；

在绝缘层上进一步溅镀第二透明导电层的第一亚层，得到第一中间件；