[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种FinFET器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，在所述鳍片之间形成有隔离结构；

实施离子注入，以调节所述鳍片的阈值电压；

在所述鳍片的未被所述隔离结构遮蔽的表面形成无定型硅层，以阻止后续实施的快速热退火所引发的所述离子注入的注入离子剂量的损失；

实施所述快速热退火，使所述无定型硅层完全重晶态化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片的宽度全部相同，或者所述鳍片分为具有不同宽度的多个鳍片组。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鳍片的工艺步骤包括：在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，形成用于蚀刻所述半导体衬底以在其上形成所述鳍片的多个彼此隔离的掩膜；采用湿法蚀刻工艺去除所述掩膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述图案化过程的工艺步骤包括：在所述硬掩膜层上形成具有所述掩膜的图案的光刻胶层；采用干法蚀刻工艺去除未被所述光刻胶层所遮蔽的硬掩膜层；采用灰化工艺去除所述光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述隔离结构的工艺步骤包括：在所述半导体衬底上沉积形成绝缘层，以完全覆盖所述鳍片；执行化学机械研磨工艺研磨所述绝缘层，以露出所述鳍片的顶部；采用回蚀刻工艺去除部分所述绝缘层，以形成所述隔离结构。

6.根据权利要求1述的方法，其特征在于，所述无定型硅层的厚度不大于1nm。

7.一种FinFET器件，采用如权利要求1-6中任意一种方法制备，包括：

半导体衬底；

形成在所述半导体衬底上的多个鳍片；

形成在所述鳍片之间的隔离结构；

形成在所述鳍片的未被所述隔离结构遮蔽的表面上的、由无定形硅层在为调节所述鳍片的阈值电压而实施的离子注入之后实施的快速热退火期间重晶态化的硅层。

8.根据权利要求7所 述的FinFET器件，其特征在于，所述硅层的厚度不大于1nm。

9.根据权利要求7所 述的FinFET器件，其特征在于，所述鳍片的宽度全部相同，或者所述鳍片分为具有不同宽度的多个鳍片组。