[发明专利]投影光刻机的离轴对准装置用于离轴对准的方法有效

专利信息
申请号: 201410073758.8 申请日: 2014-03-03
公开(公告)号: CN104898376B 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 周钰颖;陆海亮;王帆 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 投影 光刻 对准 装置 调节 方法
【权利要求书】:

1.一种投影光刻机的离轴对准装置用于离轴对准的方法,其特征在于,所述对准包括以下步骤:

S11获取对准图像:探测器捕获两组莫尔条纹;

S13计算两组莫尔条纹实际周期;

S14倍率误差调整:根据实际周期分别对两组莫尔条纹进行数据处理,从而调整倍率误差;

S15获取两组莫尔条纹的相位差;

S16计算偏移量:根据两组莫尔条纹的相位差计算精对准标记相对参考标记之间的偏移量Δs;

S17位置调整:将偏移量Δs反馈到控制系统,驱动工件台,完成离轴对准;

所述投影光刻机的离轴对准装置包括照明装置、设置在待对准部件上的精对准标记、倍率为M1的第一投影系统、设置在参考标记板上的参考标记、倍率为M2的第二投影系统、探测器和信号处理系统;

所述精对准标记包括并排设置的第一反射光栅和第二反射光栅,所述第一反射光栅的光栅常数为P1,所述第二反射光栅的光栅常数为P2

所述参考标记包括并排设置的第一透射光栅和第二透射光栅,所述第一透射光栅的光栅常数为P3,所述第二透射光栅的光栅常数为P4

所述照明装置提供照明光,所述照明光入射到精对准标记上,所述第一投影系统收集第一反射光栅衍射光并将其投射到第一透射光栅上,所述第一投影系统收集第二反射光栅衍射光并将其投射到第二透射光栅上,经过第一反射光栅和第一透射光栅干涉形成第一莫尔条纹,经过第二反射光栅和第二透射光栅干涉形成第二莫尔条纹,所述第二投影系统收集两组莫尔条纹并将其投射到探测器,所述信号处理系统从探测器获取莫尔条纹的信息并进行信号处理。

2.根据权利要求1所述的离轴对准的方法,其特征在于,所述S15中可通过拟合或快速傅里叶变换两种方法提取莫尔条纹的相位。

3.根据权利要求1所述的离轴对准的方法,其特征在于,在所述S11前还包括粗对准步骤:

S31获取对准图像:探测器探测对准粗捕获标记像和参考粗捕获标记像;

S33计算中心偏差:识别对准粗捕获标记和参考粗捕获标记的中心偏差;

S34中心粗对准:将中心偏差反馈控制系统,用于驱动工件台运动到对准捕获范围内。

4.根据权利要求3所述的离轴对准的方法,其特征在于,在所述粗对准前还包括对精对准标记旋转进行校正的步骤:

S21将精对准标记移动到对准范围内;

S22获取对准图像:探测器捕获两组莫尔条纹;

S24计算旋转角:通过两组莫尔条纹的夹角计算精对准标记相对参考标记的旋转角;

S25角度调整:将旋转角反馈控制系统,驱动工件台,完成角度调整。

5.根据权利要求1~4中任意一项权利要求所述的离轴对准的方法,其特征在于,在所述探测器捕获后,由图像处理系统对捕获的信息进行预处理,所述预处理包括暗电流校正、非均匀性校正和/或坏像素插值。

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