[发明专利]显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备无效
申请号: | 201410073898.5 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN104037194A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 中畑祐治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 单元 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种显示单元,包括:
多个第一电极,被提供给各个像素;
显示功能层,设置于所述第一电极上;
第二电极,被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
第三电极,被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;
第一垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间;以及
第二垫片,设置在所述第二电极与所述第三电极之间,并且具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
2.根据权利要求1所述的显示单元,进一步包括导电膜,
其中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由绝缘材料制成,并且所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个的至少一部分表面覆盖有所述导电膜。
3.根据权利要求2所述的显示单元,其中,所述导电膜中的面向所述第二垫片的区域被选择性去除。
4.根据权利要求2所述的显示单元,其中,所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域被选择性去除。
5.根据权利要求1所述的显示单元,其中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由导电材料制成。
6.根据权利要求5所述的显示单元,其中,所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域被选择性去除。
7.根据权利要求5所述的显示单元,进一步包括绝缘膜,所述绝缘膜形成在所述第二垫片与所述第二电极或所述第三电极的各相对面中的一方或两方上
8.根据权利要求1所述的显示单元,其中,在所述第一垫片与所述第二垫片之间的高度差由所述第一垫片的基础层的厚度形成。
9.根据权利要求8所述的显示单元,其中,所述基础层是包括两层或多层滤色片层和黑色矩阵层的叠层薄膜。
10.根据权利要求1所述的显示单元,其中,整体地形成所述第一垫片和所述第二垫片。
11.根据权利要求1所述的显示单元,其中,与包括所述像素的有效显示区域中相比,在所述有效显示区域的外围区域中,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个的布置的密度更低。
12.根据权利要求1所述的显示单元,其中,所述显示功能层是有机电致发光层,并且在所述第二电极与所述第三电极之间填充密封树脂。
13.根据权利要求1所述的显示单元,其中,所述显示功能层是液晶层。
14.一种制造显示单元的方法,所述方法包括:
为各个像素形成多个第一电极;
形成显示功能层;
形成第二电极,所述第二电极被配置为与所述第一电极一起将驱动电压施加给所述显示功能层;
形成第三电极,所述第三电极被设置为面向所述第二电极并且与所述第二电极电连接;并且
在所述第二电极与所述第三电极之间形成第一垫片和第二垫片,所述第二垫片具有的高度比所述第一垫片的高度低,
其中,所述第二电极和所述第三电极在包括所述第一垫片的路径中彼此电连接,并且在包括所述第二垫片的路径中彼此电绝缘。
15.根据权利要求14所述的制造显示单元的方法,其中,在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,
所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个均由绝缘材料构成,
形成导电膜,以覆盖所形成的第一垫片和所形成的第二垫片中的每一个的表面,并且
选择性地去除所形成的导电膜的面向所述第二垫片的区域。
16.根据权利要求14所述的制造显示单元的方法,其中,
在形成所述第一垫片和所述第二垫片时,所述第一垫片和所述第二垫片中的每一个由绝缘材料构成,并且形成导电膜,以覆盖所形成的第一垫片和所形成的第二垫片中的每一个的表面,并且
在形成所述第二电极和形成所述第三电极两者中的一个中,选择性地去除所述第二电极和所述第三电极中的一个的面向所述第二垫片的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的