[发明专利]一种热丝化学气相沉积技术制备氧化钼纳米带的方法无效
| 申请号： | 201410074091.3 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN103818960A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;王明明;张炬栋;廖欣;柳兆祥;高力 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 技术 制备 氧化钼 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种热丝化学气相沉积技术制备氧化钼纳米带的方法，其特征在于：以硅钼棒发热体为基底和钼源，通过对硅钼棒发热体的碳热还原处理和热丝化学气相沉积技术两步制备α-MoO3纳米带。
2.根据权利要求1所述的一种热丝化学气相沉积技术制备氧化钼纳米带的方法，其特征在于：所述硅钼棒发热体碳热还原处理，是将碳粉和硅粉置于硅钼棒发热体电炉内加热，在1000～1500℃下进行碳热还原处理，以除去硅钼棒表面的氧化硅保护层，同时硅钼棒发热体表层生成Mo2C。
3.根据权利要求1所述的一种热丝化学气相沉积技术制备氧化钼纳米带的方法，其特征在于：所述热丝化学气相沉积技术，是以经过碳热还原处理后的硅钼棒发热体为基底和钼源，在常压空气氛围中，将5 ℃/min 加热电炉到300 ℃-400 ℃，然后以50 ℃/min的速度加热到600 ℃-800 ℃ ，然后断电随炉冷却，可见大量的α-MoO3纳米带沉积在硅钼棒基底上。
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