[发明专利]一种Flash存储器的高效率存储方法

说明书

技术领域

本发明一种Flash存储器的高效率存储方法，属于Flash存储器的数据存储方法的技术领域。

背景技术

现今，Flash存储器作为主流存储器，无论是在民用、工业还是军工领域，都得到了大量的应用，目前Flash存储器进行数据存储的方式主要有两种，一种是数据以文件系统存储的方式，另一种是数据按物理块和页存储的方式，文件系统的存储是以簇为最小单位进行数据的存储，按物理块和页是以页为最小单位进行数据的存储；

在数据量较小和数据存储次数较频繁的情况下，每写一次数据（如几个字节），至少要占用一个簇（最小为4KB）或一页（最小为512个字节），使得Flash存储器的利用率大大减小，降低了Flash存储器的存储效率和使用寿命；此外，Flash存储器按照传统的存储方法存储数据时，想将数据写入内存页，直到将一页内存页写满后，才会全部一起存储至存储记录器，如果发生意外断电的情况，那么最新的数据将不会被及时保存，造成数据缺失，尤其对于消防领域来说，消防数据的缺失将造成消防现场的无法还原，给企事业单位和警务部门带来极大的不便和损失。

发明内容

本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种在数据量小和数据存储次数较频繁的情况下，能够使存储器的存储效率较高的Flash存储器的高效率存储方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种Flash存储器的高效率存储方法，以块为单位将Flash存储器划分为不同的数据存储区域，再将每个数据存储区域均划分为多个缓冲块和多个数据块，其中，每个缓冲块又分为多个缓冲页，每个数据块又分为多个数据页，当接收到数据后，先将数据写入相应的数据存储区域中缓冲块的缓冲页中，当缓冲页写满后再将本页的数据存储至数据块的数据页中，具体包括以下步骤：

（1.1）接收数据；

（1.2）将数据写入缓冲块的缓冲页；

（1.3）判断缓冲块的缓冲页是否写满；

（1.4）如已写满，则进入步骤（1.5），否则，进入步骤（1.8）；

（1.5）将新创建的缓冲块的前一缓冲页数据追加新数据后存至数据块的数据页；判断缓冲块剩余空缓存块数量是否大于等于2，如小于2，则进入步骤（1.6），否则，进入步骤（1.7）；

（1.6）擦除已不为空的缓冲块的内容，并将缓存块地址变为初始值（缓存块地址置0），缓冲页地址置0，数据页地址+1，然后返回步骤（1.1）；

（1.7）缓冲块地址+2，缓冲页地址置0，数据页地址+1，然后返回步骤（1.1）；

（1.8）将缓冲块的前一缓冲页数据追加新数据后存至下一个缓冲块对应的缓冲页，缓冲页地址+1，最后返回步骤（1.1）。

步骤（1.8）中，将缓冲块的前一缓冲页数据追加新数据后存至下一个缓冲块、缓冲页地址+1之后，先判断当前缓冲页是否是缓冲块的最后一页，若是，则备份最后一个缓冲页的内容，然后检查剩余的空的缓存块数量是否大于等于2，如果数量小于2则将占用的缓存块统一清理，并将缓存块地址变为初始值（缓存块地址置0），缓冲页地址置0，数据页地址+1，然后将备份数据保存至缓冲块地址0的第一页，缓冲页地址置0，最后才返回步骤（1.1），否则，）缓冲块地址+2，缓冲页地址置0，数据页地址+1，直接返回步骤（1.1）。步骤（1.7）中，缓冲块地址+1、缓冲页地址置0、数据页地址+1之后，先判断数据块的数据页是否写满，如已写满，则将数据块地址+1后才返回步骤（1.1），否则，直接返回步骤（1.1）。一个数据存储区域中，一个数据块的逻辑地址的前一逻辑地址和后一逻辑地址均为不同缓冲块的逻辑地址，一个缓冲块的逻辑地址的前一逻辑地址和后一逻辑地址均为不同数据块的逻辑地址。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果：