[发明专利]堆叠结构和制造堆叠结构的方法

权利要求书

1.一种堆叠结构，包括：

配线；

绝缘层；

基板；和

保护层，

其中所述配线、所述保护层、所述绝缘层和所述基板从所述堆叠结构的下侧依次堆叠，

所述配线的端部从所述堆叠结构的侧面突出，所述配线的所述端部用作连接端子部，并且

所述保护层设置在所述绝缘层和至少所述配线的一部分之间并且由与构成绝缘层的材料不同的材料构成。

2.如权利要求1所述的堆叠结构，其中构成所述保护层的材料比构成所述绝缘层的材料更难以被蚀刻。

3.如权利要求1所述的堆叠结构，还包括：

设置在所述基板中的元件；和

设置在所述绝缘层中的连接部，所述连接部将所述元件连接到所述配线，

其中所述基板由半导体基板构成。

4.如权利要求1所述的堆叠结构，其中所述保护层设置在所述配线的位于所述绝缘层下方的部分的顶面的一部分或全部上。

5.如权利要求1所述的堆叠结构，还包括设置在至少所述堆叠结构的侧面上的第二绝缘层。

6.如权利要求5所述的堆叠结构，还包括设置在第二绝缘层上的遮光膜。

7.如权利要求6所述的堆叠结构，还包括设置在所述遮光膜上的第三绝缘层。

8.一种堆叠结构，包括：

具有绝缘层和第一配线的基板，第一配线设置在所述绝缘层上；

具有第二配线的基体；

贯通所述基板和所述绝缘层设置的开口部；和

设置在所述绝缘层和至少第一配线的一部分之间的保护层，所述保护层由与构成绝缘层的材料不同的材料构成，

其中所述基板接合到所述基体上，并且所述第一配线和所述第二配线彼此相对且分离，

至少第一配线的端面和第二配线的一部分在所述开口部中露出，并且

所述开口部用导电材料填充。

9.如权利要求8所述的堆叠结构，其中构成所述保护层的材料比构成所述绝缘层的材料更难以被蚀刻。

10.一种制造堆叠结构的方法，包括：

(A)在基板上形成绝缘层，和在所述绝缘层的其中至少配线将要形成的区域的一部分或全部上形成由与构成绝缘层的材料不同的材料构成的保护层，然后形成具有端部的配线；

(B)将所述基板的具有配线的一侧接合到支撑基板上；

(C)减薄所述基板；

(D)蚀刻所述基板和所述绝缘层，形成沟槽部，其中具有用所述保护层覆盖的表面的配线的端部露出；和

(E)除去在所述沟槽部中露出的保护层，以露出配线的端部。

11.如权利要求10所述的制造堆叠结构的方法，其中(A)包括在相邻的配线之间形成层间绝缘层。

12.如权利要求10所述的制造堆叠结构的方法，其中，在(A)中，凹部形成在所述绝缘层的其中所述配线将要形成的区域中，然后由与构成绝缘层的材料不同的材料构成的保护层形成在凹部的侧面和底面上，然后配线形成在凹部内。

13.如权利要求10所述的制造堆叠结构的方法，其中在(B)中利用粘合剂层将所述基板的具有配线一侧接合到所述支撑基板上。

14.如权利要求13所述的制造堆叠结构的方法，其中在(D)中的在沟槽部的形成过程中粘合剂层的一部分被蚀刻。

15.如权利要求10所述的制造堆叠结构的方法，其中

在(D)中的在沟槽部的形成过程中粘合剂层的位于配线下方的部分被蚀刻，和

在(D)和(E)之间，在基板上和沟槽部内形成第二绝缘层。

16.如权利要求10所述的制造堆叠结构的方法，其中构成所述保护层的材料比构成所述绝缘层的材料更难以被蚀刻。

17.如权利要求10所述的制造堆叠结构的方法，其中所述配线的端部用作连接端子部。