[发明专利]晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201410074999.4 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104900480A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 杨贵璞;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ与晶圆的半径R之间的关系为：当兆声波发生器运动至晶圆中心时，即R=0时，兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ=δ1，δ1为常数，兆声波发生器的功率P=δ1*r2，r为兆声波发生器自身的半径值；当R≠0时，δ=N*P/R2，P为兆声波发生器运动至晶圆中心时，兆声波发生器的功率值，N为系数。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布的同时改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面停留的时间t与晶圆的半径R之间的关系为：t=k+m*R2，其中，k为常数，m为系数。
5.一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，其特征在于，包括：旋转晶圆并使兆声波发生器从晶圆边缘向晶圆中心运动并过晶圆中心点，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器从晶圆边缘向晶圆中心运动并过晶圆中心点后到达晶圆另一边缘。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ与晶圆的半径R之间的关系为：当兆声波发生器运动至晶圆中心时，即R=0时，兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布δ=δ1，δ1为常数，兆声波发生器的功率P=δ1*r2，r为兆声波发生器自身的半径值；当R≠0时，δ=N*P/R2，P为兆声波发生器运动至晶圆中心时，兆声波发生器的功率值，N为系数。
8.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布的同时改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述兆声波发生器在晶圆表面停留的时间t与晶圆的半径R之间的关系为：t=k+m*R2，其中，k为常数，m为系数。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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