[发明专利]硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法有效
申请号: | 201410075181.4 | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN103805998A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 卫志敏;肖新民;丁志强;祁宏山;王文杰;彭文龙 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 张晓东 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 湿法 刻蚀 设备 及其 方法 | ||
1.一种硅片湿法刻蚀设备,其特征是:包括输送滚轮(1)、储液盒(2)和进液管道(3),储液盒(2)内具有储液腔体,储液盒(2)设置在输送滚轮(1)的上方,反应液通过进液管道(3)进入储液盒(2),储液盒(2)的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮(1)输送的硅片(4)的上表面的喷液孔(5)。
2.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备,其特征是:每个喷液孔(5)的周围设置与喷液孔(5)同心的用于隔离喷液孔(5)喷出的流体的环槽(6)。
3.根据权利要求2所述的硅片湿法刻蚀设备,其特征是:所述的环槽(6)的截面为V形。
4.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备,其特征是:所述的储液盒(2)内设置一个及一个以上的分液管道(7),进液管道(3)与分液管道(7)连接,进液管道(3)内的反应液通过分液管道(7)分液。
5.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备,其特征是:在所述的储液盒(2)底部设置两排喷液孔(5),两排喷液孔(5)相对交错设置,每排喷液孔(5)的排列方向与硅片(4)的输送方向垂直。
6.一种权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备的硅片湿法刻蚀方法,其特征是:硅片(4)通过输送滚轮(1)向前输送,反应液从硅片(4)上方的储液盒(2)的喷液孔(5)均匀喷向通过其下方的硅片(4),使反应液在硅片(4)表面溢流。
7.根据权利要求6所述的的硅片湿法刻蚀方法,其特征是:通过调节储液盒(2)内的液面高低,来调节反应液从喷液孔(5)流出的流速。
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