[发明专利]一种用于太阳能硅片制造的清洗液

说明书

技术领域

本发明属于光伏行业用表面清洗技术领域，具体涉及一种用于太阳能硅片制造的清洗液。

背景技术

由于硅片在切割和运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，再去除颗粒、金属等。

目前常用的硅片清洗液呈强碱性，对硅片有过度腐蚀，影响硅片的质量，而且清洗溶液对接触人员的腐蚀伤害较大。因此需要研制一种安全无危害的清洗液，以减轻上述问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于太阳能硅片制造的清洗液，该清洗液在清洗过程中，能使硅片表面的有机沾污、氧化膜、固体颗粒和金属去除干净，且该清洗液无毒，无磷、铬添加剂，呈中性，具有较好的安全性。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：

按质量百分比计包括1～10%的非离子表面活性剂，1～10%的阴离子表面活性剂，0.5～5%的金属离子络合剂，0.5～5%的缓蚀剂，余量为去离子水。

所述的非离子表面活性剂为壬基酚聚氧乙烯醚、异辛醇聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚中的一种或多种的混合物。

所述的阴离子表面活性剂为壬基酚聚氧乙烯硫酸钠或十二烷基苯磺酸钠。

所述的金属离子络合剂为葡萄糖酸钠、乙二胺四乙酸二钠或柠檬酸钠。

所述的缓蚀剂为苯并三氮唑或硼酸。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明用于太阳能硅片制造的清洗液利用环保型物质配制而成，为太阳能硅片表面清洗液，清洗液呈中性，pH值为6～8，不含磷，铬添加剂，使用量少，对硅片无过腐蚀，清洗污垢快，成本低，对硅片表面的洗涤性能高，清洗成品合格率在99%以上，对接触的操作人员无毒害腐蚀伤害，使用安全，适用于自动超声波清洗生产线。

具体实施方法

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细的说明：

本发明按质量百分比计包括1～10%的壬基酚聚氧乙烯醚、异辛醇聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚中的一种或多种的混合物，1～10%的壬基酚聚氧乙烯硫酸钠或十二烷基苯磺酸钠，0.5～5%的葡萄糖酸钠、乙二胺四乙酸二钠或柠檬酸钠，0.5～5%的苯并三氮唑或硼酸，余量为去离子水。

下面列举本发明的具体实施例：

实施例1

按质量百分比将3%的壬基酚聚氧乙烯醚，10%的壬基酚聚氧乙烯硫酸钠，2%的乙二胺四乙酸二钠，5%的苯并三氮唑以及80%的去离子水混合并搅拌均匀，得到用于太阳能硅片制造的清洗液。

实施例2

按质量百分比将8%的异辛醇聚氧乙烯醚，1%的壬基酚聚氧乙烯硫酸钠，0.5%的葡萄糖酸钠，3%的苯并三氮唑以及87.5%的去离子水混合并搅拌均匀，得到用于太阳能硅片制造的清洗液。

实施例3

按质量百分比将10%的脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚，2%的十二烷基苯磺酸钠，4%的乙二胺四乙酸二钠，0.5%的硼酸以及83.5%的去离子水混合并搅拌均匀，得到用于太阳能硅片制造的清洗液。

实施例4

按质量百分比将1%的异辛醇聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物，7%的壬基酚聚氧乙烯硫酸钠，5%的柠檬酸钠，1%的苯并三氮唑以及86%的去离子水混合并搅拌均匀，得到用于太阳能硅片制造的清洗液。

用实施例1至4所配制的清洗液，分别对5000片硅片进行了清洗，清洗过程如下：

清洗时为7个超声水槽，1至6号水槽水温控制在50℃，7号槽水温为85℃。将配制的清洗液稀释至原液的1/50，倒入3号槽，其他水槽为去离子水，硅片依次在每槽内超声清洗5分钟，最后将硅片烘干，检验。

清洗效果：硅片表面干净一致，无花斑，无过度腐蚀。清洗结果见下表：