[发明专利]一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料及制备方法

权利要求书

1.一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料，其特征是：该材料中各成分的重量百分含量为：Sm 0.01％～0.05％，Ga 0.01％～0.05％，B 6％～9％，Te 0.5％～0.9％，S 0.05％～0.09％，Al 4％～6％，Fe 1％～4％，Si 1.4％～1.9％，其余为Co。

2.权利要求1所述材料的制备方法，其特征是：该方法包括以下步骤：

1）首先按照上述成分进行配料，原料Sm、Ga、Te、S、Al、Fe、Si、Co的纯度均大于99.9％；B以含B重量百分含量为24%的硼铁合金形式加入；

2）将上述原料放入真空感应炉中熔炼，熔炼温度为1520-1530℃，得到母合金，然后将放入真空感应成型炉内的重熔管式坩埚中进行重熔，重熔温度为1510-1530℃；重熔管式坩埚部设有通孔；重熔管式坩埚上部经阀门连接氮气系统，氮气系统的压力为1.5-1.8个大气压；

3）重熔管式坩埚的底部置于成型炉转轮轮缘之上；当母合金熔化后，重熔管式坩埚上部阀门打开，熔融母合金在氮气压迫下从坩埚底部通孔中喷向旋转的成型炉转轮轮缘，形成连续的合金带；

4）然后将合金带置于液氮中进行低温处理，处理温度为-196℃，保温25-30分钟；取出后于室温条件下静置1-2小时；然后置于450-480℃，保温2-4小时，自然冷却至室温，即得到高饱和磁导率钴基纳米晶合金薄带材料。

3.根据权利要求2所述材料的制备方法，其特征是：步骤2）中重熔管式坩埚内径为12-14mm，高度为250-280mm，坩埚底部设有孔径为1-1.5mm的通孔。

4.根据权利要求2所述材料的制备方法，其特征是：步骤3）中重熔管式坩埚的底部置于成型炉转轮轮缘之上2-4mm处。

5.根据权利要求2所述材料的制备方法，其特征是：步骤3）中成型炉转轮旋转线速度为25～27m/s；所得合金带的厚度为200-350μm，宽度为3-5mm。