[发明专利]一种阻变存储器结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201410075803.3 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN103824938A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王欣然;钱敏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种阻变存储器结构，其中，该阻变存储器结构的底电极和/或顶电极为石墨烯。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器结构，其中，该阻变存储器结构包括衬底、底电极、阻变层、顶电极；
所述底电极设于所述衬底之上；
所述阻变层设于所述底电极之上；
所述顶电极设于所述阻变层之上。
3.根据权利要求2所述的阻变存储器结构，其中，该阻变存储器结构还包括一接触电极，该接触电极设置于底电极的两端。
4.根据权利要求2所述的阻变存储器结构，其中，该阻变存储器结构还包括一缓冲层，该缓冲层设于所述底电极与所述阻变层之间。
5.根据权利要求4所述的阻变存储器结构，其中，所述缓冲层的厚度在10nm以下；优选地，所述缓冲层的材质为Pd和/或Pt。
6.根据权利要求2所述的阻变存储器结构，其中，所述衬底为玻璃衬底、蓝宝石衬底、石英衬底、塑料衬底、硅衬底或者聚萘二甲酸乙二醇酯衬底。
7.根据权利要求2所述的阻变存储器结构，其中，所述阻变层的材料为TiO2、Ta2O5、Al2O3、HfO2中的一种或几种的组合；优选地，所述阻变层的厚度为5-100nm，更优选为30nm。
8.根据权利要求1或2所述的阻变存储器结构，其中，所述石墨烯为厚度在100nm以下的石墨烯薄膜；优选地，所述石墨烯为厚度在3nm以下的石墨烯薄膜。
9.根据权利要求2所述的阻变存储器结构，其中，所述顶电极为导电金属或导电薄膜，优选5nm厚的Ti层和50nm厚的Pt层。
10.权利要求1-9任一项所述的阻变存储器结构的制备方法，其包括利用石墨烯制备阻变存储器结构的底电极和/或顶电极的步骤。
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