[发明专利]一种吸收式单刀八掷开关

权利要求书

1.一种吸收式单刀八掷开关，包括公共输入端与对称分布的八个支路，每个支路由金属底板、设置于金属底板上的微带基片以及间隔设置的PIN梁式二极管（D1）、第一PIN二极管芯（D2）、第二PIN二极管芯（D3）、第三PIN二极管芯（D4）、吸收电阻（R）、隔直电容（C1）构成，其中PIN梁式二极管（D1）设置于微带基片的微带线上,串接在公共输入端与各支路之间，隔直电容（C1）设置于微带线上串接输出端，第三PIN二极管芯（D4）串接吸收电阻后与第一PIN二极管芯（D2）、第二PIN二极管芯（D3）分别设置在金属底板上并接于PIN梁式二极管（D1）负极与隔直电容之间；其特征在于，所述金属底板在第三PIN二极管芯（D4）相应位置开设有凹槽，所述吸收电阻设置于凹槽内。

2.按权利要求1所述一种吸收式单刀八掷开关，其特征在于，所述PIN梁式二极管（D1）的性能参数为Cj=0.022pf，Rf=4.9Ω。

3.按权利要求1所述一种吸收式单刀八掷开关，其特征在于，所述第一PIN二极管（D2）、第二芯PIN二极管（D3）、第三PIN二极管（D4）的性能参数为Cj=0.05pf，Rf=2.5Ω。

4.按权利要求1所述一种吸收式单刀八掷开关，其特征在于，所述吸收电阻为两个100欧贴片电阻并联构成。

5.按权利要求1所述一种吸收式单刀八掷开关，其特征在于，所述凹槽为直径0.86mm，深1mm的圆形槽。

6.按权利要求1所述一种吸收式单刀八掷开关，其特征在于，所述微带基片的介电常数为2.22、厚度为0.127mm。