[发明专利]石墨烯等离子体激元通信链路

权利要求书

1.一种信号传输链路，包括：

第一等离子体激元耦合器；

第二等离子体激元耦合器，其与所述第一等离子体激元耦合器具有间隔以形成间隙；

绝缘体层，其在所述第一和第二等离子体激元耦合器的端部之上以及在所述间隙之中和之上形成；以及

等离子体激元导电层，其在所述绝缘体层上的所述间隙之上形成以激发等离子体激元，以便在所述第一和第二等离子体激元耦合器之间提供信号传输。

2.根据权利要求1中所述的链路，其中所述等离子体激元导电层包括石墨烯。

3.根据权利要求1中所述的链路，其中所述链路包括栅场，其中选择性地启用所述栅场以便调制所述链路中的信号。

4.根据权利要求1中所述的链路，其中所述第一和第二等离子体激元耦合器包括纳米天线。

5.根据权利要求1中所述的链路，其中所述链路包括集成电路芯片上的至少两个组件之间的通信链路。

6.根据权利要求1中所述的链路，其中所述链路包括至少两个集成电路芯片之间的通信链路。

7.根据权利要求1中所述的链路，还包括至少一个阻抗变换组件以便调整信号传输的阻抗。

8.根据权利要求1中所述的链路，其中所述链路是柔性的。

9.根据权利要求1中所述的链路，其中所述链路在视觉上是透明的。

10.根据权利要求1中所述的链路，其中所述链路以100GHz与10THz之间的速度提供数据传输。

11.根据权利要求1中所述的链路，其中所述等离子体激元导电层包括金属格栅。

12.一种信号传输链路，包括：

第一等离子体激元耦合器；

第二等离子体激元耦合器，其与所述第一等离子体激元耦合器布置在同一平面中并通过间隙与所述第一等离子体激元耦合器分隔开；

绝缘体层，其在所述第一和第二等离子体激元耦合器的端部之上以及在所述间隙之中和之上形成，所述绝缘体的厚度被配置为防止在所述第一和第二等离子体激元耦合器之间进行电连接；以及

等离子体激元导电层，其包括石墨烯，所述等离子体激元导电层在所述绝缘体层上的所述间隙之上形成并与所述第一和第二等离子体激元耦合器的所述端部重叠，使得来自所述第一和第二等离子体激元耦合器中的一个的电信号在所述等离子体激元导电层中被转换为等离子体激元信号，所述等离子体激元信号然后在所述第一和第二等离子体激元耦合器中的另一个中被转换回电信号。

13.根据权利要求12中所述的链路，其中所述链路包括集成电路芯片上的至少两个组件之间的通信链路。

14.根据权利要求12中所述的链路，其中所述链路包括至少两个集成电路芯片之间的通信链路。

15.根据权利要求12中所述的链路，还包括至少一个阻抗变换组件以便调整信号传输的阻抗。

16.根据权利要求12中所述的链路，其中所述链路是柔性的并在视觉上是透明的。

17.根据权利要求12中所述的链路，其中所述链路包括栅场，其中选择性地启用所述栅场以便调制所述链路中的信号。

18.根据权利要求12中所述的链路，其中所述链路以100GHz和10THz之间的速度提供数据传输。

19.一种用于高频信号传输的方法，包括：

提供等离子体激元信号传输链路，所述等离子体激元信号传输链路包括：第一等离子体激元耦合器；第二等离子体激元耦合器，其与所述第一等离子体激元耦合器具有间隔以形成间隙；绝缘体层，其在所述第一和第二等离子体激元耦合器的端部之上以及在所述间隙之中和之上形成；以及等离子体激元导电层，其在所述绝缘体层上的所述间隙之上形成以激发等离子体激元，以便在所述第一和第二等离子体激元耦合器之间提供信号传输；以及

以大约100GHz和10THz之间的频率，在耦合到所述第一等离子体激元耦合器的第一组件与耦合到所述第二等离子体激元耦合器的第二组件之间传递信号。

20.根据权利要求19中所述的方法，其中所述等离子体激元导电层包括石墨烯。