[发明专利]固定电压产生电路

说明书

技术领域

本发明系有关于一种固定电压产生电路，尤指一种适用于砷化镓(GaAs)制程的固定电压产生电路。

背景技术

砷化镓制程可制作出具有良好性能及高效率的RF功率放大器。其特点包括在高频工作时不易产生信号失真、噪声值低、功率耗损小、增益值大及组件面积小等，因此可以达到组件小、高效率、低耗电等效果，适合应用在手机及各项通讯设备产品。

为使砷化镓功率放大器在大范围输入电压变动的情形下仍可正常动作，便需要提供稳定电压给功率放大器以确保其工作正常。

通常固定电压产生电路使用CMOS制程，其中会使用到PMOS。然而PMOS并不适合用在砷化镓制程，因此无法整合此固定电压产生电路于同一砷化镓制程，而需另外提供一个由CMOS制程制作的固定电压产生电路以提供砷化镓功率放大器稳定电压。如此会增加制程所需要的面积及降低集成度(integration)。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明公开一种固定电压产生电路，包含第一电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第二电阻及第三电阻。第一电阻包含第一端及第二端，该第一电阻的第二端耦接于电压源。第一晶体管包含第一端、第二端，以及控制端，第一晶体管的控制端耦接于第一电阻的第一端，第一晶体管的第一端耦接于一接地端，第一晶体管的第二端耦接于第一晶体管的控制端。第二晶体管包含第一端、第二端，以及控制端，第二晶体管的控制端耦接于第一晶体管的控制端，第二晶体管的第一端耦接于接地端。第三晶体管包含第一端、第二端，以及控制端，第三晶体管的控制端用以接收第一差动电压，第三晶体管的第一端耦接于第二晶体管的第二端。第四晶体管包含第一端、第二端，以及控制端，第四晶体管的控制端用以接收第二差动电压，第四晶体管的第一端耦接于第二晶体管的第二端。第二电阻包含第一端以及第二端，第二电阻的第一端耦接于第三晶体管的第二端，第二电阻的第二端耦接于电压源。第三电阻包含第一端以及第二端，第三电阻的第一端耦接于第四晶体管的第二端，第三电阻的第二端耦接于电压源。其中第二电阻的阻值及第三电阻的阻值与第一电阻的阻值有关。

更进一步的，该固定电压产生电路还包含第四电阻，该第四电阻包含第一端及第二端，该第四电阻的第一端耦接于该第二电阻的第二端及该第三电阻的第二端，及该第四电阻的第二端耦接于该电压源。

更进一步的，该固定电压产生电路还包含第五电阻，耦接于该第三晶体管的第一端与该第二晶体管的第二端之间；及第六电阻，耦接于该第四晶体管的第一端与该第二晶体管的第二端之间。

更进一步的，该第二电阻、该第三电阻，及该第四电阻的等效阻值等于该第一电阻的阻值，且该第一晶体管及该第二晶体管的尺寸比例系为1:1。

更进一步的，该第二电阻与该第三电阻的等效阻值等于该第一电阻的阻值，该第一晶体管及该第二晶体管的尺寸比例系为1:1。

更进一步的，该固定电压产生电路，另包含n个二极管，耦接于该电压源与该第一晶体管的控制端之间，其中n为正整数。

更进一步的，该些二极管可为接面二极管、场效晶体管或双极性接面晶体管。

更进一步的，该第一晶体管及该第二晶体管形成一电流镜，该第一晶体管及该第二晶体管的尺寸比例系为1:N或N:1，N为正整数。

更进一步的，该固定电压产生电路为使用一砷化镓制程。

与现有技术相比较，本发明提出的固定电压产生电路可产生稳定的输出电压，而且不会随着电压源的变动而产生变化，因此可以在大范围输入电压变动的情形下正常地工作。另外，本发明亦可透过串联多个二极管来调整输出电压的电压值以符合系统的需求。由于本发明系藉由调整多个电阻之阻值的比例以及电阻连接于电压源的方式来提供输出电压，因此可以在砷化镓制程中产生固定电压，而不须另使用CMOS制程，如此可减少制程所需要的面积及增加集成度。

附图说明

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

图1：本发明一实施例之固定电压产生电路的电路图。

图2：本发明一实施例之固定电压产生电路的电路图。

图3：本发明一实施例之固定电压产生电路的电路图。

图4：本发明一实施例之固定电压产生电路的电路图。

图5：本发明一实施例之固定电压产生电路的电路图。

图6：一利用场效晶体管实现二极管的电路图。

图7：一利用双极性接面晶体管实现二极管的电路图。

图8：本发明一实施例之固定电压产生电路的电路图。