[发明专利]微米级锥形阵列结构的激光成型方法有效
| 申请号： | 201410076831.7 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103934580B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申万 | 申请（专利权）人： | 中国神华能源股份有限公司;神华科学技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | B23K26/50 | 分类号： | B23K26/50;B23K26/60;B23K26/14 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 100011 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微米 锥形 阵列 结构 激光 成型 方法 | ||
1.一种微米级锥形阵列结构的激光成型方法，其特征在于，包括，
步骤10，清洗和/或打磨待加工的原材料的表面；
步骤20，使用激光器照射所述原材料的表面的一个位置；
步骤30，激光束斑在所述原材料的表面移动，照射所述原材料的表面的另一位置；
步骤40，反复进行步骤20至步骤30，照射所述原材料所有需要生成锥形结构的表面，使所述原材料的表面形成阵列式排列的锥形结构。
2.根据权利要求1所述的激光成型方法，其特征在于，在所述步骤10中，使用丙酮清洗剂清洗所述原材料的表面。
3.根据权利要求1所述的激光成型方法，其特征在于，所述激光器为Tui248纳米KrF脉冲激光器。
4.根据权利要求2所述的激光成型方法，其特征在于，在所述步骤20中，所述激光器的光强度为2焦耳/平方厘米，工作气体为氧气，氧气压力为75毫托，激光束斑形状为长方形，大小为2×5毫米。
5.根据权利要求1所述的激光成型方法，其特征在于，所述步骤20中，以原材料表面为0度平面，垂直于原材料表面的法线方向为90度，所述激光束在10度至80度之间的预定角度照射到原材料表面。
6.根据权利要求5所述的激光成型方法，其特征在于，所述激光束以45度角照射到原材料表面。
7.根据权利要求1所述的激光成型方法，其特征在于，所述步骤20中，激光频率为10赫兹，激光与原材料表面的作用时间为100个脉冲。
8.根据权利要求1所述的激光成型方法，其特征在于，所述步骤30中，激光通过反射镜平移到的所述另一位置。
9.根据权利要求1所述的激光成型方法，其特征在于，所述步骤30中，通过平移原材料使所述激光束斑在所述原材料的表面移动。
10.根据权利要求1所述的激光成型方法，其特征在于，所述原材料为陶瓷电极。
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