[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一类型掺杂层；

在所述第一类型掺杂层表面形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分第一类型掺杂层；

对牺牲层两侧的第一类型掺杂层进行第二类型离子注入，形成第二掺杂区，第二掺杂区之间的部分第一类型掺杂层作为第一掺杂区，部分第二掺杂区位于牺牲层下方，第二掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相反；

在所述牺牲层侧壁表面形成牺牲侧墙；

形成覆盖所述牺牲层一侧的第二掺杂区的掩膜层；

以所述掩膜层、牺牲层和牺牲侧墙为掩膜，对位于牺牲层另一侧的第二掺杂区进行第一类型离子注入，使部分所述第二掺杂区转变为第三掺杂区，所述第三掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区的掺杂类型相反，所述第三掺杂区与第一掺杂区之间具有未被转变的部分第二掺杂区；

去除所述掩膜层后，在半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与牺牲层表面齐平；

去除所述牺牲层，形成凹槽；

在所述凹槽内形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三掺杂区与第一掺杂区之间的未被转变的部分第二掺杂区的宽度小于或等于第一掺杂区的宽度。

3.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂类型与待形成的晶体管的类型相同。

4.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型掺杂层的掺杂浓度为1E17atom/cm³～8E19atom/cm³。

5.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括形成牺牲层之后，在所述第一类型掺杂层表面形成缓冲层。

7.根据权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺或化学气相沉积工艺形成所述缓冲层。

8.根据权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为2nm～20nm。

9.根据权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化硅。

10.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二类型离子注入的剂量为1E10atom/cm²～1E16atom/cm²，形成的第二掺杂区的掺杂浓度为1E19atom/cm³～1E21atom/cm³。

11.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子注入的剂量为第二类型离子注入的剂量的两倍以上。

12.根据权利要求11所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子注入的剂量为2E10atom/cm²～2E16atom/cm²，使形成的第三掺杂区内的掺杂浓度为1E19atom/cm³～1E21atom/cm³。

13.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料与牺牲层的材料不同。

14.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。

15.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料与牺牲层的材料不同。

16.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层。

17.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括位于凹槽底部的栅介质层、位于所述栅介质层表面且填充满所述凹槽的栅极。

18.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在凹槽底部形成界面层之后，再在所述界面层表面形成栅极结构。