[发明专利]一种面阵型红外探测器的像元等效电路及测试方法有效
申请号: | 201410076965.9 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN104897290B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 朱磊;陈立颖;孙东昱;薛璐 | 申请(专利权)人: | 中航(重庆)微电子有限公司 |
主分类号: | G01J5/02 | 分类号: | G01J5/02;G01J5/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面阵型 红外探测器 等效电路 测试 方法 | ||
本发明提供一种面阵型红外探测器的像元等效电路及测试方法,所述像元等效电路包括:等效盲像元,用于模拟MEMS盲像元,提供等效对照信号;等效有效像元,用于模拟MEMS有效像元,提供等效探测信号;读出电路,用于对所述等效对照信号及等效探测信号进行放大及读出;所述等效盲像元包括第一MOS管及第一开关,所述等效有效像元包括第二MOS管及第二开关。本发明具有以下有益效果:1)可以显著提高面阵型红外探测器的生产效率和产品良率;2)实现了面阵型红外探测器中MEMS结构制造前的全功能测试;3)降低面阵型红外探测器产品的测试封装成本。
技术领域
本发明属于MEMS与集成电路设计领域,特别是涉及一种面阵型红外探测器的像元等效电路及测试方法。
背景技术
红外探测器(Infrared Detector)是将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。红外辐射是波长介于可见光与微波之间的电磁波,人眼察觉不到。要察觉这种辐射的存在并测量其强弱,必须把它转变成可以察觉和测量的其他物理量。一般说来,红外辐射照射物体所引起的任何效应,只要效果可以测量而且足够灵敏,均可用来度量红外辐射的强弱。现代红外探测器所利用的主要是红外热效应和光电效应。这些效应的输出大都是电量,或者可用适当的方法转变成电量。
红外焦平面阵列是20世纪70年代末80年代初,在国防应用以及其它战略与战术应用的推动下发展起来的。它是获取景物红外热辐射信息的重要光电器件。红外焦平面阵列属于第二代红外成像器件,是现代红外成像系统的核心部件,具有结构简单、工作稳定、噪声等效温差小、灵敏度高等优点。因此,红外焦平面阵列被广泛用于军事、工业、农业、医疗、森林防火等各个领域中。
面阵型红外探测器的像元面积较大,占了大半部分的芯片面积,像元质量的好坏决定了后面图像的显示效果。像元接受外界信息后,其微弱的电流信号要经过读出电路处理,变成可检测的电压信号。
非制冷红外焦平面读出电路(ROIC)是一种专用的数模混合信号集成处理电路,随着集成电路工艺和技术的发展,尤其是CMOS集成制造技术和工艺的成熟,使ROIC得到了迅猛的发展。像元是面阵型红外探测器必不可少的一部分,像元的尺寸和结构是影响后面成像质量的关键因素。目前,常见的方法都是先做好读出电路,然后在上面生长出MEMS像元(即VOx薄膜),但是,在前期电路设计中,读出电路的性能是不可预知的。
现有技术中,对读出电路的测试往往是在MEMS像元制作完成并封装后进行,但是,如果MEMS像元制作完成后再发现读出电路出现问题,会对生产造成严重的损失,包括MEMS像元的制作成本以及封装成本的浪费和生产效率的降低。
鉴于以上现有技术中的问题,提供一种在MEMS像元制作前对读出电路进行测试的电路及测试方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种面阵型红外探测器的像元等效电路及测试方法,用于解决现有技术中因MEMS像元形成前面阵型红外探测器读出电路性能不可预知而导致制作成本和封装成本提高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种面阵型红外探测器的像元等效电路,至少包括:
等效盲像元,用于模拟MEMS盲像元,提供等效对照信号;
等效有效像元,用于模拟MEMS有效像元,提供等效探测信号;
读出电路,用于对所述等效对照信号及等效探测信号进行放大及读出;
所述等效盲像元包括第一MOS管及第一开关,其中,所述第一MOS管的栅极连接第一可调电压,第一极连接电源,所述第一开关连接于所述第一MOS管的第二极及所述读出电路之间;
所述等效有效像元包括第二MOS管及第二开关,其中,所述第二MOS管的栅极连接第二可调电压,第二极接地,所述第二开关连接于所述第二MOS管的第一极及所述读出电路之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中航(重庆)微电子有限公司,未经中航(重庆)微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410076965.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。