[发明专利]半导体装置、半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一沉积单元，基于第一沉积指令，沉积介质层；

化学机械研磨单元，基于研磨指令，对介质层进行平坦化；

第二沉积单元，基于第二沉积指令，沉积补偿介质层；

测量单元，基于测量指令，测量介质层的厚度或者介质层和补偿介质层的总厚度，并将厚度测量值反馈给控制单元；

控制单元，用于发出第一沉积指令、研磨指令和测量指令；并根据厚度测量值，判断介质层的厚度或者介质层和补偿介质层的总厚度是否达到目标厚度，若未到达目标厚度，发出第二沉积指令。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括，传输单元，用于在第一沉积单元、第二沉积单元、化学机械研磨单元和测量单元之间传输晶圆。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述控制单元还用于发出传输指令，所述传输单元基于传输指令传输晶圆。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沉积指令中包括待沉积的补偿介质层的厚度信息。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述待沉积的补偿介质层的厚度为介质层的厚度或者介质层和补偿介质层的总厚度与目标厚度之间的差异值。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沉积单元中包括写入单元，第二沉积单元在接收到第二沉积指令时，所述写入单元根据待沉积的补偿介质层的厚度修改第二沉积单元中的沉积菜单。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沉积单元根据修改后的沉积菜单沉积补偿介质层。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沉积单元的沉积精度大于第一沉积单元的沉积精度。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二沉积单元为原子层沉积装置。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层；

采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层；

进行测量步骤，测量平坦化后的介质层厚度；

判断测量的介质层厚度是否达到目标厚度，若平坦化后的介质层的厚度未达到目标厚度，获得测量的介质层的厚度与目标厚度的差异值，并基于该差异值进行沉积步骤，在平坦化后的介质层上形成第一补偿介质层；若平坦化后的介质层的厚度达到目标厚度，则结束。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：进行测量步骤，测量所述第一补偿介质层和平坦化后的介质层的总厚度；判断测量的总厚度是否达到目标厚度，若总厚度未达到目标厚度，则进行沉积步骤，在第一补偿介质层上形成第二补偿介质层；若总厚度达到目标厚度，则结束。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：交替进行测量步骤、判断步骤、沉积步骤，直至介质层和补偿介质层的总厚度达到目标厚度。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，若总厚度未达到目标厚度，获得测量的总厚度与目标厚度的差异值，并基于该差异值进行沉积步骤，在第一补偿介质层上形成第二补偿介质层。

14.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一补偿介质层和第二补偿介质层的材料与介质层的材料相同。

15.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一补偿介质层和第二补偿介质层的沉积工艺为原子层沉积工艺。

16.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层后，平坦化后的介质层的厚度小于或等于目标厚度。

17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化后的介质层厚度小于目标厚度的值为0～500埃。

18.如权利要求17所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一补偿介质层的厚度等于差异值。

19.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底上形成有栅极；在栅极两侧的半导体衬底内形成源/漏区；采用化学气相沉积工艺形成覆盖所述栅极和半导体衬底的介质层。