[发明专利]一种功率可变的模拟激光源有效
申请号: | 201410077513.2 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103825192B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 李冬梅;赵向凯;张观欣;杨志卿;高瑀含;姜波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/06 | 分类号: | H01S5/06;H01S5/068;H01S5/0683 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 可变 模拟 激光 | ||
1.一种功率可变的模拟激光源,其特征在于,该模拟激光源包括通过光纤(5)连接的激光发射部分(1)、激光功率控制部分(2)、数字控制电路部分(3)和系统供电(4),其中:
激光发射部分(1)用于在数字控制电路部分(3)的控制下发射出功率稳定的脉冲激光,并作为整个模拟激光源的激光发射源;
激光功率控制部分(2)用于接收数字控制电路部分(3)的数字控制指令,并将其转换成电压,以驱动激光功率控制部分(2)中的可调光衰减器来改变光衰减量,从而控制光输出功率;
数字控制电路部分(3)用于为激光发射部分(1)提供脉冲或连续的LD驱动信号,控制LD的发射激光与否以及发射激光脉冲频率,其输出的数字控制信号通过激光功率控制部分(2)被转换成可调光衰减器(2-1)的光衰减量;
系统供电部分(4)用于为整个模拟激光源提供能量。
2.根据权利要求1所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述激光发射部分(1)包括发光二极管LD(1-3)、LD温度控制电路(1-5)、LD驱动电路(1-6)和LD功率控制电路(1-7),其中:
发光二极管(1-3)用于发射连续激光或脉冲激光;
LD温度控制电路(1-5)用于控制发光二极管(1-3)内部温度;
LD驱动电路(1-6)为发光二极管(1-3)发射连续激光或脉冲激光提供驱动;
LD功率控制电路(1-7)通过发光二极管(1-3)内部的光敏二极管(1-2)采集发射光功率,反馈到功率控制电路(1-7)自动控制发光二极管(1-3)的输出功率稳定在一个特定的已知值。
3.根据权利要求2所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述发光二极管(1-3)包括半导体致冷器TEC(1-1)、光敏二极管(1-2)和热敏电阻(1-4),其中:
半导体致冷器(1-1)用于对发光二极管(1-3)进行加热和冷却;
光敏二极管(1-2)用于采集发射光功率并反馈到功率控制电路(1-7);
热敏电阻(1-4)用于反馈发光二极管(1-3)内部温度。
4.根据权利要求2所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述发光二极管(1-3)选择波长为1.064μm脉冲光纤激光器,或者使用波长为0.532μm、0.905μm或10.6μm的脉冲或者连续激光器。
5.根据权利要求1所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述激光功率控制部分(2)包括可调光衰减器VOA(2-1)、模拟放大电路(2-2)、数字模拟转换器DAC(2-3)以及连接光纤,其中:
可调光衰减器(2-1)是电压控制器件,通过控制其两端电压可以控制其输入和输出光纤间激光的光衰减量;
模拟放大电路(2-2)用于将数字模拟转换器(2-3)输出电压信号进行电压和电流放大,增加控制范围和驱动能力;
数字模拟转换器(2-3)用于将数字控制电路部分(3)的数字指令转换成电压信号输入到模拟放大电路(2-2)中。
6.根据权利要求1所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述数字控制电路部分(3)输出的数字控制信号通过激光功率控制部分(2)转换成可调光衰减器(2-1)的光衰减量,是整个模拟激光源的控制核心。
7.根据权利要求6所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述数字控制电路部分(3)通过总线控制数值模拟转换器(2-3)控制可调光衰减器(2-1)两端电压,从而控制可调光衰减器(2-1)的光衰减量,使光衰减量可调,控制输出光功率值。
8.根据权利要求7所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述数字控制电路部分(3)进一步通过控制多个数值模拟器(2-3)增加光衰减量改变范围,进而控制光功率可调范围。
9.根据权利要求8所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述数字控制电路部分(3)还用于实现系统人机输入输出界面和串口通信功能。
10.根据权利要求1所述的功率可变的模拟激光源,其特征在于,所述系统供电部分(4)用于实现整个模拟激光源的能量供给。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410077513.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。