[发明专利]一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法

权利要求书

1.一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；

步骤2：经外延了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；

步骤3：生长半绝缘砷化镓层；

步骤4：生长砷化镓盖层；

步骤5：抛光、清洗、封装，完成衬底的制备。

2.根据权利要求1所述的一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，其中硅衬底为偏[011]方向3°至6°的(100)衬底，经过标准硅片清洗后放入反应室。

3.根据权利要求1所述的一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，其中，锗层的缺陷密度小于1×10⁶cm^-2，表面粗糙度小于1nm。

4.根据权利要求1所述的一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，生长高温砷化镓层、半绝缘砷化镓层、生砷化镓盖层的生长温度相同，均在620～660℃之间。

5.根据权利要求1所述的一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，其中，半绝缘砷化镓层的生长速率是0.2nm/s～0.4nm/s，V/III为20～40。

6.根据权利要求1所述的一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，其中，生长半绝缘砷化镓层时掺杂剂为二茂铁，其流量所用的III族源TMGa的流量的比为1∶1000～1∶10000，数量级在1×10^-8～1×10^-9mol/min之间。

7.根据权利要求1所述的一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，其中砷化镓盖层厚度为50～100nm。

8.根据权利要求1所述的一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，其中，抛光时所去除的砷化镓的厚度小于100nm，最后达到的粗糙度小于0.5nm。