[发明专利]利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法有效
| 申请号： | 201410078090.6 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103915328B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;沈彦;魏红强;沈于兰;杨松波 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 石墨 带电 生长 介质 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 然后采用原子层沉积方法在石墨烯上形成高K介质薄膜，具体步骤为：
提供需要生长高K介质的石墨烯样品；
把石墨烯样品放入电场中，通过电荷感应使石墨烯带电；或者在石墨烯上通电，使石墨烯带电；
然后在石墨烯样品上通入水蒸气，由于石墨烯带电形成极化陷阱，能物理吸附水分子；
利用原子层沉积方法在样品样品上生长高K介质薄膜。
2. 根据权利要求1所述的生长高K介质的方法，其特征在于所述石墨烯样品生长或者转移在具有一定厚度的绝缘衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
