[发明专利]高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置

权利要求书

1.一种高电压开漏极静电放电保护装置，其特征在于，包含：

一第一高电压N通道金氧半场效晶体管，其连接一高电压焊垫与一低电压端，并接收该高电压焊垫的高电压以正常运作；

一高电压静电放电保护单元，其连接该高电压焊垫与该第一高电压N通道金氧半场效晶体管，并阻挡该高电压，且接收该高电压焊垫的正静电放电电压或负静电放电电压，以在该高电压焊垫发生静电放电事件时，分别释放一第一静电放电电流或一第二静电放电电流；以及

一第一电压箝位单元，连接该高电压静电放电保护单元与该低电压端，并经由该高电压静电放电保护单元接收该正静电放电电压，以释放该第一静电放电电流。

2.根据权利要求1所述的高电压开漏极静电放电保护装置，其特征在于，该第一电压箝位单元更包含：

一第一触发电路，其连接该高电压静电放电保护单元与该低电压端，并经由该高电压静电放电保护单元接收该正静电放电电压，以产生一触发信号；以及

一第一静电放电箝位元件，连接该高电压静电放电保护单元、该第一触发电路与该低电压端，并接收该触发信号以导通，则该第一静电放电电流从该高电压焊垫依序通过该高电压静电放电保护单元与该第一静电放电箝位元件，流至该低电压端，又该高电压静电放电保护单元接收该负静电放电电压时，该第二静电放电电流从该低电压端依序通过该第一静电放电箝位元件与该高电压静电放电保护单元，流至该高电压焊垫，或是从该低电压端经由该第一高电压N通道金氧半场效晶体管的寄生漏基反向接面二极管，流至该高电压焊垫，以释放该第二静电放电电流。

3.根据权利要求1所述的高电压开漏极静电放电保护装置，其特征在于，该高电压静电放电保护单元更包含：

一电阻；以及

一第二高电压N通道金氧半场效晶体管，其漏极连接该第一高电压N通道金氧半场效晶体管与该高电压焊垫，源极连接该第一电压箝位单元，该电阻的二端分别连接该源极与该第二高电压N通道金氧半场效晶体管的栅极，该源极连接该第二高电压N通道金氧半场效晶体管的基底，该第二高电压N通道金氧半场效晶体管在该漏极与该栅极间有一寄生漏栅电容，在该漏极与该基底间有一寄生漏基反向接面二极管，该寄生漏基反向接面二极管阻挡该高电压，该寄生漏栅电容与该电阻接收该正静电放电电压，以导通该第二高电压N通道金氧半场效晶体管，则该第二高电压N通道金氧半场效晶体管释放该第一静电放电电流，又该寄生漏基反向接面二极管接收该负静电放电电压，以释放该第二静电放电电流，或是从该低电压端经由该第一高电压N通道金氧半场效晶体管的寄生漏基反向接面二极管，流至该高电压焊垫，以释放该第二静电放电电流。

4.根据权利要求1所述的高电压开漏极静电放电保护装置，其特征在于，该高电压静电放电保护单元为二极管时，该二极管的阳极连接该第一电压箝位单元，阴极连接该第一高电压N通道金氧半场效晶体管与该高电压焊垫。

5.根据权利要求1所述的高电压开漏极静电放电保护装置，其特征在于，该高电压静电放电保护单元为具有一寄生NPN双载子接面晶体管的场氧化元件，该寄生NPN双载子接面晶体管具有一寄生集基空乏电容、一寄生集基反向接面二极管与一寄生基射电阻，该场氧化元件的栅极与源极互相连接，漏极则连接该第一高电压N通道金氧半场效晶体管与该高电压焊垫，该源极连接该第一电压箝位单元，该寄生集基反向接面二极管阻挡该高电压，该寄生集基空乏电容与该寄生基射电阻接收该正静电放电电压，则该寄生NPN双载子接面晶体管会导通，以释放该第一静电放电电流，又该寄生集基反向接面二极管接收该负静电放电电压，以释放该第二静电放电电流，或是从该低电压端经由该第一高电压N通道金氧半场效晶体管的寄生漏基反向接面二极管，流至该高电压焊垫，以释放该第二静电放电电流。