[发明专利]防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法及背封结构

权利要求书

1.一种防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的方法，包括步骤：

A.提供一半导体衬底（101），所述半导体衬底（101）系用于多层离子注入、多层外延生长形成超结结构；

B.在所述半导体衬底（101）的背面形成一第一背封保护层（102），所述第一背封保护层（102）为正硅酸乙酯层；

C.在所述第一背封保护层（102）的表面形成一第二背封保护层（103）。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一背封保护层（102）为低温氧化的正硅酸乙酯层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二背封保护层（103）为不掺杂的多晶硅层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在上述步骤B之前，所述方法还包括步骤：

A1.在所述半导体衬底（101）的背面形成一吸杂多晶硅层（104）。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述吸杂多晶硅层（104）为非掺杂的吸杂多晶硅层。

6.一种防止多层外延生长时背面形成多晶颗粒的背封结构，包括：

半导体衬底（101），用于多层离子注入、多层外延生长形成超结结构；

第一背封保护层（102），位于所述半导体衬底（101）的背面，所述第一背封保护层（102）为正硅酸乙酯层；

第二背封保护层（103），位于所述第一背封保护层（102）的表面。

7.根据权利要求6所述的背封结构，其特征在于，所述第一背封保护层（102）为低温氧化的正硅酸乙酯层。

8.根据权利要求7所述的背封结构，其特征在于，所述第二背封保护层（103）为不掺杂的多晶硅层。

9.根据权利要求8所述的背封结构，其特征在于，所述背封结构还包括：

吸杂多晶硅层（104），位于所述半导体衬底（101）的背面和所述第一背封保护层（102）之间。

10.根据权利要求9所述的背封结构，其特征在于，所述吸杂多晶硅层（104）为非掺杂的吸杂多晶硅层。