[发明专利]EEPROM及其存储阵列

权利要求书

1.一种EEPROM存储阵列，其特征在于，包括至少一个字节存储区域；

所述字节存储区域包括按照行方向排列的M条字线、按照列方向排列的8条位线、按照列方向排列的8条源线以及M行、8列呈矩阵排列的存储单元，所述存储单元包括栅极、漏极以及源极，M为正整数；其中，

位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线，位于同一列的存储单元的漏极连接至同一位线，位于同一列的存储单元的源极连接至同一源线。

2.如权利要求1所述的EEPROM存储阵列，其特征在于，位于同一列第m行和第m+1行的存储单元的源极共用，位于同一列第m行和第m-1行的存储单元的漏极共用，1≤m≤M且m为奇数。

3.如权利要求1所述的EEPROM存储阵列，其特征在于，位于同一列的存储单元的漏极通过填充导电材料的接触孔连接至同一位线，位于同一列的存储单元的源极通过填充导电材料的接触孔连接至同一源线。

4.如权利要求1至3任一项所述的EEPROM存储阵列，其特征在于，对所述字节存储区域中待读取存储单元进行读取时，施加至所述待读取存储单元连接的字线的电压为1.5V至3.3V，施加至所述待读取存储单元连接的位线的电压为0.5V至1.5V，施加至所述待读取存储单元连接的源线的电压为0V。

5.如权利要求1至3任一项所述的EEPROM存储阵列，其特征在于，对所述字节存储区域中待编程存储单元进行编程时，施加至所述待编程存储单元连接的字线的电压为-10V至-6V，施加至所述待编程存储单元连接的位线的电压为0V至2V，施加至所述待编程存储单元连接的源线的电压为3V至8V。

6.如权利要求1至3任一项所述的EEPROM存储阵列，其特征在于，对所述字节存储区域中待擦除存储单元进行擦除时，施加至所述待擦除存储单元连接的字线的电压为10V至13V，施加至所述待擦除存储单元连接的位线的电压为0V，施加至所述待擦除存储单元连接的源线的电压为0V。

7.如权利要求1所述的EEPROM存储阵列，其特征在于，所述存储单元还包括衬底和浮栅；所述漏极和源极位于所述衬底的内部，所述浮栅位于所述栅极连接的字线与所述源极连接的源线之间的衬底表面。

8.一种EEPROM，其特征在于，包括译码电路、控制电路以及权利要求1至7任一项所述的EEPROM存储阵列。