[发明专利]闪存的形成方法

权利要求书

1.一种闪存的形成方法，其特征在于，包括：

提供工作台，所述工作台包括：反应室、及设有可打开保护盖的晶圆装载卸载室，所述反应室具有排气口、与所述排气口连接的管道、和所述管道连接的泵，所述管道上设有位于排气口下游、位于泵上游的控制阀，所述保护盖在打开状态下，所述反应室和晶圆装载卸载室直接相通，所述保护盖在关闭状态下，所述反应室和晶圆装载卸载室彼此隔离；

利用高温热氧化方法在形成有闪存栅极的晶圆上形成覆盖所述晶圆及栅极的氧化硅层，包括：向所述反应室内通入反应气体，所述控制阀和泵处于第一开启状态，以控制所述反应室内的压力，所述反应气体包括氧源气体和含氯硅源气体；

形成所述氧化硅层之后，打开所述保护盖，使所述控制阀和泵处于第二开启状态，将所述晶圆由所述反应室搬送至晶圆装载卸载室。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二开启状态下的控制阀开度，是所述第一开启状态下的控制阀开度的一倍至三倍。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第二开启状态下的控制阀开度为20%至40%。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧源气体为O₂、N₂O中的一种或两种。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述含氯硅源气体为SiH₂Cl₂。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述氧化硅层的工艺参数包括：所述反应室内的压力为250至500毫托。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述氧化硅层的工艺参数包括：所述反应室内的温度为780至810摄氏度。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述控制阀为蝶阀。

9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化硅层用于形成位于栅极周围的侧墙。

10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述反应室为立式炉，所述晶圆装载卸载室位于反应室下方。