[发明专利]晶圆探针测试次数的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆探针测试次数的检测方法。

背景技术

晶圆测试（Chip Probing，CP）是在晶圆制造完成之后，对晶圆上每一个芯片进行电学参数测量，也称晶圆探针（wafer probe）测试或探测（probe）。晶圆测试的目的是检验可接受的电学性能，确保不合格芯片不会进入封装流程，而被送到客户手中。

在测试时，晶圆被固定在真空吸力的卡盘上，同时使用探针针扎芯片上的每一个焊垫（pad），探针的另一端为测试仪。测试仪将电流或电压通过探针输入被测芯片，然后被测芯片对该输入信号响应而产生输出信号，根据输出信号得到电学性能参数。其中，整个测试过程为自动化测试过程，测试的数量、顺序和类型等均由计算机程序控制。

通常，一片晶圆会经历多次探针测试。例如，第一次探针测试，称为内核测试或记忆体测试，主要是进行内核的相关性能的测试判定。接着，对晶圆进行烘培（bake），烘培后进行第二次探针测试，以检测烘培后的相应电学性能参数是否发生变化。最后，进行第三次探针测试，称为功能测试或逻辑测试，主要测试芯片上的所有器件是否能正常完成特定任务。另外，在上述每次测试后，如果出现电学性能参数不符合预期或芯片有瑕疵的情形，还需要对晶圆上的所有芯片进行重新测试，以保证测试结果精确。这样，对每个晶圆来说，测试次数又是不同的。

每完成一个探针测试过程，晶圆上的所有芯片都会遭探针针扎一次。对一片晶圆来说，通常会做多次测试，对应多个测试过程，晶圆上的所有芯片会遭探针针扎多次。这样，如果每个芯片遭到过多针扎，可能会对芯片上的焊垫造成过量划痕，引起金属线短路，甚至探针会穿透焊垫，损伤芯片，造成芯片不能正常工作。所以，对每个芯片进行针扎的次数是有限制的，客户对此也都会有特殊要求。

因此，在晶圆测试过程中，需要记录每片晶圆的测试次数，即每片晶圆上芯片的针扎次数。而在晶圆探针测试过程中，可能会连续测试成千上万片晶圆，每个晶圆的探针测试次数又不尽相同，单凭人力统计探针测试次数显然是不可能的。但是现有的晶圆探针测试过程中，无法自动记录每片晶圆的测试次数。

发明内容

本发明解决的问题是，在现有的晶圆探针测试过程中，无法自动记录每片晶圆的探针测试次数。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆探针测试次数的检测方法，该检测方法包括：

提供晶圆，在所述晶圆上设置有扎针区，所述扎针区与晶圆中的待测芯片相互隔开；

利用探针台，对所述晶圆中的所有待测芯片进行多次探针测试；

对所述晶圆中的所有待测芯片进行一次探针测试之前或之后，在所述扎针区上形成一个标记，对应多次探针测试形成多个标记，根据标记的数量得到晶圆探针测试次数。

可选地，在所述扎针区上形成一个标记的方法为：

在所述探针台上设置一根外探针；

使用所述外探针对所述扎针区进行扎针形成针扎痕迹，或者对所述扎针区进行刻划形成划痕，所述针扎痕迹或划痕作为标记。

可选地，所述扎针区为金属焊垫。

可选地，所述金属焊垫的材料为铝。

可选地，对晶圆中的所有待测芯片进行探针测试的方法包括：

将探针与待测芯片对位；

向探针发出输入信号，所述探针接收输入信号对待测芯片进行测试。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在晶圆上设置有扎针区，对所述晶圆中的所有待测芯片进行一次探针测试之前或之后，在所述扎针区上形成一个标记，对应多次探针测试形成多个标记，根据标记的数量得到晶圆探针测试次数。也就是，扎针区上的标记为晶圆探针测试次数的自动“记录”，一个晶圆上扎针区的标记的数量等于晶圆探针测试次数。使用本技术方案，可实现自动记录每片晶圆的探针测试次数。

附图说明

图1是本发明具体实施的具有扎针区的晶圆的俯视图；

图2是本发明具体实施例的探针卡与晶圆对位的示意图；

图3是本发明具体实施例的外探针针扎扎针区的示意图。

具体实施方式

针对现有技术存在的问题，本发明技术方案提出一种新的晶圆探针测试次数的检测方法。使用该晶圆探针测试次数的检测方法，在对晶圆进行测试之前，在晶圆上设置一个特定的扎针区。对应每个晶圆测试过程，在扎针区形成一个标记，后续根据标记的数量得到每个晶圆探针测试次数。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。