[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供一种成膜装置，其能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。本发明的成膜装置（1）具备向真空腔室（10）内供给原料气体（在此为氧气）的原料气体供给部（30），并且具备对成膜对象物（11）局部地供给比原料气体活化的活化气体的活化气体供给部（40）。其中，通过成膜对象物（11）与沉积部（2）的位置关系，有时在成膜对象物（11）中的一部分中，与其他部分相比供给到膜中的氧变少。对于膜中的氧变少的部分，通过活化气体供给部（40）局部地供给氧的活化气体，从而能够弥补膜中的氧。因此，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜中的氧的偏差。综上，能够降低因成膜对象物（11）的位置产生的膜质的偏差。

本申请主张基于2013年3月28日申请的日本专利申请第2013-068577号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置。

背景技术

作为在成膜对象物的表面形成膜的成膜装置，例如采用离子镀法或溅射法。例如在专利文献1中，记载有采用离子镀法的成膜装置，该离子镀法使已蒸发的成膜材料扩散于真空腔室内而使成膜材料附着于成膜对象物的表面。在该专利文献1所记载的成膜装置中设置有两个产生等离子射束的等离子源及通过该等离子射束使成膜材料蒸发的主炉缸等，以能够与作为成膜对象物的基板的大型化对应。在该成膜装置中，将氧作为原料气体向真空腔室内供给而进行成膜。并且，在专利文献2所记载的成膜装置中，向作为成膜对象物的整个基板供给已活化的氧气而进行成膜。

专利文献1：日本特开平11-012725号公报

专利文献2：日本特开平03-097853号公报

在此，随着成膜对象物的大型化，如上述的专利文献1所记载的成膜装置，设置多个主炉缸等而进行成膜时，有时在成膜对象物上的膜中产生氧不足的区域。或者，有时产生过量地供给氧的区域。与此相对，如专利文献2即使向整个成膜对象物供给已活化的氧气，有时在膜中也会产生氧的浓淡。综上，因成膜对象物的位置而在膜质上产生偏差。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差的成膜装置。

本发明所涉及的成膜装置为在真空腔室内使成膜材料的粒子沉积于成膜对象物的成膜装置，其中，具备：成膜对象物配置部，能够在真空腔室内配置成膜对象物；沉积部，使成膜材料的粒子沉积于成膜对象物；原料气体供给部，向真空腔室内供给原料气体；及活化气体供给部，向配置于成膜对象物配置部的成膜对象物局部地供给比原料气体活化的活化气体。

本发明所涉及的成膜装置具备向真空腔室内供给原料气体的原料气体供给部，并且具备向成膜对象物局部地供给比原料气体活化的活化气体的活化气体供给部。其中，通过成膜对象物与沉积部的位置关系，有时在成膜对象物中的一部分中，与其他部分相比供给到膜中的原料变少。对于这种部分，通过活化气体供给部局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的原料。因此，能够降低因成膜对象物的位置产生的膜中的原料的偏差。综上，能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。

在本发明所涉及的成膜装置中，沉积部可具备：多个等离子源，在真空腔室内生成等离子射束；多个主炉缸，作为填充有成膜材料并向成膜材料导入等离子射束或导入有等离子射束的主阳极；及多个环炉缸，配置于主炉缸的周围并作为引导等离子射束的辅助阳极。沉积部由多个等离子源、多个主炉缸及多个环炉缸构成时，通过与各主炉缸的位置关系，在成膜对象物的一部分中，与其他部分（接近主炉缸的区域）相比膜中的原料变少。对于这种部分，通过活化气体供给部局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的原料。

在本发明所涉及的成膜装置中，活化气体供给部可向配置于成膜对象物配置部的成膜对象物中的、从成膜材料的粒子的照射方向观察时相互邻接的主炉缸之间的位置供给活化气体。由于成膜对象物中，在相互邻接的主炉缸之间，膜中的原料容易变少，因此通过活化气体供给部对该部分局部地供给活化气体，从而能够弥补膜中的原料。