[发明专利]一种测量LED内量子效率的方法无效
| 申请号： | 201410079018.5 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103808497A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 安平博;赵丽霞;魏学成;路红喜;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 led 量子 效率 方法 | ||
1.一种测量LED内量子效率的方法，其特征在于，该方法包括：
根据LED的几何结构，通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率ηLEE；
将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装，测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系，求出LED外量子效率ηEXE；以及
根据公式ηEXE＝ηIQEηLEE计算出LED内量子效率ηIQE。
2.根据权利要求1所述的测量LED内量子效率的方法，其特征在于，所述根据LED的几何结构，通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率ηLEE，包括：
若是同质外延，整个LED结构具有相同的介电常数，则利用如下公式计算出光效率：其中为全反射临界角，根据Fresnel定律得到n为LED的折射率；
若是异质外延或者图形衬底的结构，则根据具体LED几何结构在TracePro中建立具体的几何模型，利用光线追踪方法得到出光效率。
3.根据权利要求2所述的测量LED内量子效率的方法，其特征在于，所述利用软件建模计算出光效率的方法，包括：
平面异质衬底的LED直接利用TracePro软件分别建立p层、有源层、n层和衬底，设置对应的材料属性；在LED周围设置观察区，观察区接收入射光的表面属性设为完全吸收，有源层上下两面使用Lambertian光源类型；
图形衬底的图形阵列使用相关的CAD软件TracePro来建立，然后转化为ASCII文件导入TracePro。
4.根据权利要求1所述的测量LED内量子效率的方法，其特征在于，所述将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装，测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系，求出LED外量子效率ηEXE，包括：
对LED芯片进行封装，封装时不要影响本来的出光效率；然后在不同注入电流I下测量发光功率P和峰值波长λ；根据测量的发光功率P和峰值波长λ得到外量子效率
5.根据权利要求1所述的测量LED内量子效率的方法，其特征在于，所述LED内量子效率
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