[发明专利]W形垂直沟道3DNAND闪存及其形成方法

权利要求书

1.一种W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，并在所述衬底上形成衬垫层；

在所述衬垫层顶部形成多个凹槽；

在所述多个凹槽中淀积第一材料以形成多个底层管形通道牺牲层；

在所述衬垫层上交替淀积第二材料和第三材料以形成绝缘层和控制栅层的叠层结构；

在所述叠层结构中形成多个垂直刻蚀孔，所述垂直刻蚀孔的底部与所述底层管形通道牺牲层的端部接触；

去除所述底层管形通道牺牲层，以使所述底层管形通道牺牲层两端的所述垂直刻蚀孔连通，形成U形通道；

淀积形成电荷俘获复合层，所述电荷俘获复合层覆盖所述多个U形通道的表面；

向所述U形沟道填充多晶硅以形成导电沟道；

在所述叠层结构中多个导电沟道的垂直段之间刻蚀多个中央沟槽，以将各个所述导电沟道的垂直段周围的所述叠层结构分隔开；

向所述中央沟槽中填充绝缘介质；

在所述叠层结构之上形成多个顶层管形通道，每个所述顶层管形通道连接两个不同的导电沟道；

形成源线和位线。

2.根据权利要求1所述的W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，还包括：在所述叠层结构之上形成选通管结构。

3.根据权利要求1所述的W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，采用腐蚀液湿法刻蚀去除所述底层管形通道牺牲层，其中，所述腐蚀液对所述第一材料的腐蚀速率大于对所述第二材料的腐蚀速率，并且大于对所述第三材料的腐蚀速率。

4.根据权利要求1所述的W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，所述淀积形成电荷俘获复合层包括：依次淀积电荷阻挡层材料、电荷存储层材料和电荷隧穿层材料。

5.根据权利要求1所述的W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第一材料为氧化铝或氧化铜。

6.根据权利要求1所述的W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第二材料为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，所述第三材料为多晶硅。

8.根据权利要求1所述的W形垂直沟道3DNAND闪存的形成方法，其特征在于，俯视所述垂直刻蚀孔呈圆形。

9.一种W形垂直沟道3DNAND闪存，其特征在于，是通过权利要求1-9中任一项所述的方法制得的。