[发明专利]化学传感器及用于制造该化学传感器的方法无效
申请号: | 201410079450.4 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103969311A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | F·迈尔;M·莱希纳;C·库尔敏;R·胡梅尔;罗伯特·苏尼尔 | 申请(专利权)人: | 盛思锐股份公司 |
主分类号: | G01N27/333 | 分类号: | G01N27/333 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宋超 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 传感器 用于 制造 方法 | ||
1.一种化学传感器,包括具有前表面(2.1)和后表面(2.2)的基板层(2),和布置在所述基板层(2)的所述前表面(2.1)上的传感层(3),所述传感层(3)包括传感元件(4),并且所述基板层(2)在所述后表面(2.2)上设置有孔(5)从而形成包含所述传感元件(4)的膜(6),其特征在于:
-所述基板层(2)在所述后表面(2.2)上设置有接触片(10)并且设置有从所述前表面(2.1)延伸到所述后表面(2.2)、用于将所述传感元件(4)与所述接触片(10)进行电连接的通孔(11);
-其中处理层(17)设置在所述传感层(3)的顶部,所述处理层(17)包围所述传感元件(4);以及
-其中所述处理层(17)的厚度(d1)大于所述基板层(2)的厚度(d2)。
2.根据权利要求1所述的化学传感器,其中所述处理层(17)的厚度(d1)为整个化学传感器(1)的厚度(d3)的至少50%。
3.根据权利要求1或2所述的化学传感器,其中所述处理层(17)的厚度(d1)在200到500微米的范围内。
4.根据前述权利要求之一所述的化学传感器,其中所述基板层(2)的厚度(d2)比所述膜(6)的横向延伸小。
5.根据前述权利要求之一所述的化学传感器,其中所述基板层(2)的厚度(d2)在50到200微米的范围内。
6.根据前述权利要求之一所述的化学传感器,其中所述处理层(17)由硅或玻璃制成。
7.根据前述权利要求之一所述的化学传感器,其中所述处理层(17)的前表面(17.1)是光滑的。
8.一种用于制造根据前述权利要求之一所述的化学传感器的方法,所述方法包括以下步骤:
-在大块基板上形成包含所述传感元件(4)的传感层(3);
-在所述传感层(3)的顶部形成包围所述传感元件(4)的处理层(17);
-将所述大块基板的厚度减小到比所述处理层(17)的厚度(d1)小的厚度(d2),从而从所述大块基板形成所述基板层(2);
-在所述基板层(2)中形成通孔(11),所述通孔(11)从所述基板层(2)的前表面(2.1)延伸到后表面(2.2);以及
-在所述基板层(2)的后表面(2.2)中形成孔(5),从而形成包含所述传感元件(4)的膜(6)。
9.根据权利要求8所述的方法,其中将所述大块基板的厚度减小到厚度(d2)以形成所述基板层(2),从而使得所述处理层(17)的厚度(d1)为整个化学传感器(1)的厚度(d3)的至少50%。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中所述处理层(17)的厚度(d1)在200到500微米的范围内。
11.根据权利要求8-10之一所述的方法,其中将所述大块基板的厚度减小到50-200微米范围内的厚度(d2)以形成所述基板层(2)。
12.根据权利要求8-11之一所述的方法,其中所述孔(5)形成在所述基板层(2)的所述后表面(2.2)中,使得所述膜(6)的横向延伸比所述基板层(2)的厚度(d2)大。
13.根据权利要求8-12之一所述的方法,其中为了在所述传感层(3)的顶部形成所述处理层(17),在所述传感层(3)的顶部提供粘合层(18),所述粘合层(18)包围所述传感元件(4)并将所述处理层(17)与所述传感层(3)的顶部连接。
14.根据权利要求8-13之一所述的方法,其中所述处理层(17)由硅或玻璃制成。
15.根据权利要求8-14之一所述的方法,其中所述处理层(17)的顶部被研磨以形成所述处理层的光滑前表面(17.1)。
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