[发明专利]用于非易失性存储器系统中的失效管理的对称数据复制

说明书

技术领域

本发明涉及非易失性存储器（NVM）系统，更具体地说，涉及仿真EEPROM（电可擦可编程只读存储器）系统以及这种仿真EEPROM系统内的失效管理。

背景技术

非易失性存储器（NVM）系统被用于各种各样的产品。对于某些设备，NVM系统被用于仿真包括其它NVM系统的其它存储器系统，例如EEPROM（电可擦可编程只读存储器）系统。例如，NVM系统中的存储块可以通过存储一个或多个EEPROM数据记录而被用于实现仿真EEPROM系统。EEPROM数据记录是如同存储在EEPROM中地被布置用于处理的数据条目和/或字段的集合。数据记录可以被配置为包括数据记录状态字段、数据字段和/或其它所需的字段。特定EEPROM数据记录所需的具体排列是由在其中利用EEPROM记录的应用决定的。当EEPROM系统通过使用NVM系统被仿真的时候，NVM系统被配置以提供以被利用的格式仿真EEPROM记录的数据记录。

对于一些应用，例如汽车应用，期望延长EEE（仿真EEPROM）系统的寿命超出其当前有效寿命，该系统是通过使用NVM系统来实现的。然而，为了实现这些延长寿命，NVM系统必须能够克服通常对NVM系统的可靠运行是有害或致命的失效机制，例如由于多位错误而造成的读失败。其它失效机制也可以限制NVM系统的有效寿命，从而它不适合于某些应用。

图1（现有技术）是现有NVM系统的实施例100的方框图，其中该系统重写（rewrite）了在其中检测到错误的数据块。所描述的NVM系统的实施例100包括存储器控制电路102和非易失性存储器（NVM）120。存储器控制电路102通过使用控制信号（CNTL）108、数据信号（DATA）110以及地址信号（ADDR）112与外部电路通信。进而，存储器控制电路102通过使用控制信号（CNTL）114、数据信号（DATA）116以及地址信号（ADDR）118与NVM存储器120通信。如图所示，存储器控制电路102包括坏块重写电路104。NVM120包括程序块122和数据块124。程序块122被配置以存储例如可以被外部处理器读取和使用的程序指令，其中该外部处理器与NVM系统通信。数据块124被配置以存储被写入NVM120和从NVM120读取的数据，例如用于仿真EEPROM记录的数据。此外，数据块124被配置为包括正常块126和单独的重写块128。块126被用作主数据存储部，并且重写块128被用于存储从已被确定为是坏块或失效块的块126内的一个或多个块重写的数据。

在所描述的实施例100的操作期间，存储器控制电路102与NVM120通信以执行NVM操作。例如，存储器控制电路102可以从外部电路接收将数据写入到NVM120的请求和/或从NVM120读取数据的请求。如果其中一个正常存储块126在NVM操作期间被确定为有错误，则该块被标记为坏块或失效块，并且不再被NVM系统使用。随后，坏块重写操作130被用于将源自正常块126内的坏块的数据写入到重写块128内的新块。随后，重写块128内的新块代替主块126内的坏块被用于与被重写到新重写块内的数据记录相关的未来访问请求。存储器控制电路102使用坏块重写电路104来控制从坏块到重写块128内的新块的数据重写。坏块重写电路104也被用于记录从正常块126内的失效块被重写入重写块128的数据记录的地址位置。因此，未来请求被路由到重写块128，而不是正常块126。

附图说明

应注意，附图仅示出了示例实施例，因此，不应被认为是限制本发明的范围。附图中的元件为了简单和清楚起见而示出，并且不一定按比例绘制。

图1（现有技术）是现有NVM系统的实施例的方框图，其中该系统重写在其中检测到错误的数据块。

图2是NVM系统的实施例的方框图，其中该系统维持两个或多个对称存储器子系统。

图3是用于引导（conduct）到NVM系统内的多个子系统的对称写入的实施例的方框图。

图4是用于引导从NVM系统内的多个子系统的其中一个的读取的实施例的方框图。

图5是用于引导到NVM系统内的多个子系统的对称写入的实施例的处理流程图。

图6是用于引导从NVM系统内的多个子系统的读取的实施例的处理流程图。

图7是用于当检测到数据错误时将主记录数据标识（flag）为无效的实施例的处理流程图。

图8是用于当检测到数据错误时将复制记录数据标识为无效的实施例的处理流程图。

具体实施方式