[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

光反射层；

第一发光单元，包括

第一半导体层，

设置在所述第一半导体层和所述光反射层之间的第二半导体层，所述第二半导体层的导电类型不同于所述第一半导体层的导电类型，

设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一发光层，所述第一发光层配置为发出第一峰值波长的第一光，以及

设置在所述第二半导体层和所述光反射层之间的第一光传输层，所述第一光传输层对于所述第一光是光透射性的；以及

第二发光单元，包括

设置在所述第一光传输层和所述光反射层之间的第三半导体层，

设置在所述第三半导体层和所述光反射层之间的第四半导体层，所述第四半导体层的导电类型不同于所述第三半导体层的导电类型，以及

设置在所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二发光层，所述第二发光层配置为发出不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长的第二光；

所述光反射层电连接到从所述第三半导体层和所述第四半导体层中选择的一个，

所述第一光传输层的厚度不小于所述第二发光层和所述光反射层之间的距离的10倍。

2.根据权利要求1所述的元件，其中，所述元件配置为从所述第一光传输层的侧表面发出所述第一光的一部分。

3.根据权利要求1所述的元件，其中，所述第一光传输层是蓝宝石衬底或GaN衬底。

4.根据权利要求1所述的元件，其中，所述第一峰值波长比所述第二峰值波长短。

5.根据权利要求1所述的元件，还包括：

第三发光单元，所述第三发光单元包括：

设置在所述第一光传输层和所述第三半导体层之间的第五半导体层；

设置在所述第五半导体层和所述第三半导体层之间的第六半导体层，所述第六半导体层的导电类型不同于所述第五半导体层的导电类型；

设置在所述第五半导体层和所述第六半导体层之间的第三发光层；所述第三发光层配置为发出不同于所述第一峰值波长并且不同于所述第二峰值波长的第三峰值波长的第三光；以及

设置在所述第六半导体层和所述第三半导体层之间的第二光传输层，所述第二光传输层对于所述第三光是光透射性的，

所述第二光传输层的厚度不小于所述第二发光层和所述光反射层之间的距离的10倍。

6.根据权利要求5所述的元件，其中，所述元件配置为从所述第二光传输层的侧表面发出所述第三光的一部分。

7.根据权利要求5所述的元件，其中，所述第二光传输层是蓝宝石衬底或GaN衬底。

8.根据权利要求5所述的元件，其中，所述第三峰值波长在所述第一峰值波长和所述第二峰值波长之间。

9.根据权利要求5所述的元件，其中，所述第三发光单元还包括：

沿从所述光反射层朝向所述第一半导体层的层叠方向，穿透所述第六半导体层、所述第二发光层以及所述第二光传输层且电连接到所述第五半导体层的第五半导体层穿通电极；以及

设置在所述第五半导体层穿通电极和所述第六半导体层之间以及在所述第五半导体层穿通电极和所述第二发光层之间的第五半导体层绝缘层。

10.根据权利要求5所述的元件，其中，所述第三发光单元还包括：

沿从所述光反射层朝向所述第一半导体层的层叠方向穿透所述第二光传输层的、至少与所述第六半导体层绝缘的第六半导体层导热柱；以及

具有至少设置在所述第六半导体层导热柱和所述第六半导体层之间的部分的第六半导体层柱绝缘层。

11.根据权利要求1所述的元件，其中

所述第二发光单元还包括

设置在所述第三半导体层和所述第一光传输层之间的、电连接到所述第三半导体层的第三半导体层侧电极，以及

设置在所述第一光传输层一侧的所述第三半导体层的表面的一部分上的第三半导体层侧垫单元，所述一部分在投影到与从所述光反射层朝向所述第一半导体层的层叠方向垂直的平面上时不重叠所述第一光传输层，所述第三半导体层侧垫单元电连接到所述第三半导体层侧电极，且

所述光反射层电连接到所述第四半导体层。