[发明专利]一种腔室

说明书

本发明提供一种腔室，所述腔室内部设置有喷淋件，所述喷淋件上设置有贯穿所述喷淋件的喷淋孔，所述喷淋件包括第一喷淋件和第二喷淋件，所述第一喷淋件上设置有多个第一通孔，所述第二喷淋件上设置有多个第二通孔，所述第一喷淋件和所述第二喷淋件上下重叠使所述第一通孔和所述第二通孔连通以形成所述喷淋孔。与现有技术相比，本发明可以较为简便地加工第一喷淋件和第二喷淋件，显著简化了加工复杂度。同时，本发明能够通过调整第一喷淋件和第二喷淋件的相对位置以调节喷淋孔的面积和孔径，能够便捷地实现更多的工艺需求。

技术领域

本发明涉及半导体设备制造领域，尤其涉及一种腔室。

背景技术

在半导体生产工艺中，对晶圆进行气相沉积之前，需要对晶圆进行预清洗，以去除晶圆表面的杂质，这一操作通常在预清洗腔室中完成。现有的预清洗方法通常是将气体（如氩气、氦气、氢气等）激发为等离子体后，利用等离子体轰击晶圆，以去除晶圆表面的杂质。

现有的预清洗腔室的结构如图1所示。腔室1的顶部设置有拱形顶盖2，且拱形顶盖2上设置有线圈3，射频电源5通过射频匹配器4将射频功率加至线圈3上，以将腔室中的气体激发为等离子体，同时，射频电源8通过射频匹配器7将射频功率加至基座6上，以在基座6上产生射频自偏压，以吸引等离子体来轰击基座6上的晶圆，然而，等离子体中的离子在轰击晶圆时较容易进入介电常数较低的材料中，可能会造成晶圆上部分材料的劣化，因此，为了避免等离子体中的离子参与清洗过程，在腔室1的内壁上部设置有喷淋件9，该喷淋件9的结构如图2所示，喷淋件9呈圆盘形，能够完全覆盖腔室1的横截面，且喷淋件9上设置有喷淋孔91，喷淋孔91的孔径通常为0.2mm～10mm，小于等离子体穿过其中时所形成的等离子体鞘层的厚度，因此，使得等离子体中的离子受等离子体鞘层的作用难以穿过喷淋孔91，而等离子体中的自由基、原子和分子能够顺利穿过喷淋孔91。

该现有的喷淋件需要在其上加工非常多的喷淋孔，加工难度大，而且，如果需要更改喷淋件的孔隙率或者调节喷淋孔的面积时，则只能重新加工新的喷淋件，造成成本高且加工周期长的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种腔室，以降低喷淋件的加工难度和成本。

为实现上述目的，本发明提供一种腔室，所述腔室内部设置有喷淋件，所述喷淋件上设置有贯穿所述喷淋件的喷淋孔，所述喷淋件包括第一喷淋件和第二喷淋件，所述第一喷淋件上设置有多个第一通孔，所述第二喷淋件上设置有多个第二通孔，所述第一喷淋件和所述第二喷淋件上下重叠使所述第一通孔和所述第二通孔连通以形成所述喷淋孔。

优选地，所述第一喷淋件上设置有第一连接孔，所述第二喷淋件上设置有第二连接孔，所述第一喷淋件和所述第二喷淋件通过所述第一连接孔和第二连接孔上下连接。

优选地，所述第一连接孔和所述第二连接孔均为多个，每个所述第一连接孔均能够与多个所述第二连接孔相匹配，使得所述第一喷淋件和所述第二喷淋件能够调整相对位置，以调节所述喷淋孔的面积。

优选地，所述喷淋件还包括卡合件，所述卡合件设置在所述第一喷淋件和所述第二喷淋件的边缘，能够固定所述第一喷淋件和所述第二喷淋件的相对位置。

优选地，所述第一通孔和所述第二通孔为矩形通孔。

优选地，所述矩形通孔的宽度为0.2mm～7mm。

优选地，多个所述第一通孔以预定间距平行地设置在所述第一喷淋件上；和/或多个所述第二通孔以预定间距平行地设置在所述第二喷淋件上。

优选地，所述第一喷淋件和所述第二喷淋件由绝缘材料制成。

优选地，所述第一喷淋件和第二喷淋件的总厚度为2mm～50mm。

优选地，所述喷淋孔的孔径小于10mm。