[发明专利]绝缘结构、形成绝缘结构的方法和包括这种绝缘结构的芯片级隔离器

权利要求书

1.一种形成绝缘结构的方法，包括：

形成包括嵌在绝缘区域内的至少一个电气或电子组件或其一部分的绝缘区域，以及

在所述绝缘区域的表面上形成具有同心沟槽的表面结构，其中所述同心沟槽的图案包裹所述至少一个电气或电子组件或其一部分的接合焊盘，

所述绝缘区域通过沉积多个绝缘层来形成，其中每个绝缘层位于每个前一绝缘层之上并且围绕该前一绝缘层的侧面延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述绝缘区域的步骤包括在衬底上方沉积M个绝缘体层，其中M为大于或等于一的整数。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在第M个绝缘体层上方形成组件或组件的一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述M个绝缘体层及其上形成的所述组件或每一个组件上方沉积N个绝缘体层。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括选择性地蚀刻最上面的绝缘体层以在其上形成多个沟槽。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括在沉积所述M个绝缘体层之前，形成组件或组件的一部分。

7.根据权利要求4所述的方法，还包括在衬底上形成组件或组件的一部分，并在包含所述组件或所述组件的一部分的所述衬底的部分上方沉积所述M个绝缘体层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述组件为变压器，所述变压器包括在所述M个绝缘体层之下形成的第一线圈和在所述第M个绝缘体层与N个绝缘体层之间形成的第二线圈。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述绝缘结构封装在集成电路封装内，其中所述绝缘结构嵌入在所述集成电路封装内的封装铸模化合物中。

10.一种形成用于接收第一电位处的输入并将输入转换成第二电位处的输出的绝缘体的方法，包括在第一半导体衬底上形成输入电路，在第二半导体衬底上形成输出电路，以及通过权利要求8中所述的变压器使所述输入电路与所述输出电路互连。

11.一种形成权利要求10中所述的绝缘体的方法，其中所述变压器在所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底的其中之一上形成，或在第三衬底上形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述绝缘体使用与形成集成电路相容或用于形成集成电路的制造技术形成，且所述绝缘体封装在芯片级封装内。

13.根据权利要求2所述的方法，其中所述绝缘体层是通过沉积并固化聚酰亚胺，或其它绝缘聚合物或氧化物的层形成的。

14.一种集成电路封装内的绝缘结构，所述绝缘结构包括嵌在绝缘区域内的电气或电子组件或其至少一部分，其中所述绝缘区域具有带有同心沟槽的纹理化或棱纹表面，其中所述同心沟槽的图案包裹所述电气或电子组件或其至少一部分的接合焊盘，其中所述绝缘区域通过沉积多个绝缘层来形成，其中每个绝缘层位于每个前一绝缘层之上并且围绕该前一绝缘层的侧面延伸。

15.根据权利要求14所述的绝缘结构，还包括将所述绝缘结构保持在所述集成电路封装内的铸模化合物，其中所述铸模化合物与所述绝缘结构的所述纹理化或棱纹表面接合。

16.根据权利要求14所述的绝缘结构，其中所述绝缘结构在第一衬底上方形成，并且信号传送组件的第一部分在所述第一衬底上或上方形成，所述信号传送组件的第二部分嵌入所述绝缘结构中。

17.根据权利要求16所述的绝缘结构，其中所述信号传送组件为具有第一线圈和第二线圈的变压器。