[发明专利]形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供增强绝缘膜；

在所述增强绝缘膜的第一表面上布置导电箔；

在与所述导电箔相对的所述增强绝缘膜上设置半导体管芯，其中所述半导体管芯的有源表面背离所述增强绝缘膜；

在所述半导体管芯和所述增强绝缘膜上设置预制绝缘膜；

将所述预制绝缘膜层压到所述增强绝缘膜上以将所述半导体管芯嵌入所述预制绝缘膜内，其中所述半导体管芯的有源表面与所述预制绝缘膜的与所述增强绝缘膜相对的第一表面共面；

在所述半导体管芯的有源表面和与所述导电箔相对的所述预制绝缘膜上形成互连结构； 以及

穿过所述互连结构，所述预制绝缘膜，所述增强绝缘膜和所述导电箔进行单片化。

2.权利要求1的方法，其中所述增强绝缘膜包括玻璃布料、玻璃纤维或玻璃填料。

3.权利要求1的方法，进一步包括：

将所述半导体管芯嵌入所述预制绝缘膜内，其中所述预制绝缘膜覆盖所述半导体管芯的侧表面，并且

在所述半导体管芯的所述有源表面上形成互连结构。

4.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜的第一表面上形成第一导电层；

将半导体管芯布置在与所述第一导电层相对的所述第一绝缘膜的第二表面之上；

在所述第一绝缘膜和所述半导体管芯之上设置第二绝缘膜；以及

在所述第一绝缘膜上层压所述第二绝缘膜以将所述半导体管芯嵌入所述第二绝缘膜中，其中，所述半导体管芯的有源表面从与所述第一绝缘膜相对的第二绝缘膜暴露出来。

5.权利要求4的方法，其中所述第一绝缘膜是多层的增强膜。

6.权利要求4的方法，穿过所述第一导电层进行单元化。

7.权利要求4的方法，其中所述第一导电层是薄铜箔。

8.权利要求4的方法，进一步包括通过以下步骤在所述半导体管芯和与所述第一导电层相对的所述第二绝缘膜之上形成互连结构：

在所述半导体管芯和第二绝缘膜上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

形成穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的多个开口以暴露所述半导体管芯；以及

在所述第一绝缘层和第二绝缘层的开口内形成第二导电层。

9.一种半导体器件，包括：

第一绝缘膜；

形成在所述第一绝缘膜上的导电层；

设置在与所述导电层相对的所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及

嵌入所述第二绝缘膜内的半导体管芯，其中，所述半导体管芯的表面从与所述第一绝缘膜相对的第二绝缘膜暴露出来。

10.权利要求9的半导体器件，其中所述导电层包括铜箔。

11.权利要求9的半导体器件，进一步包括在所述半导体管芯上形成的互连结构。

12.权利要求9的半导体器件，其中所述第一绝缘膜包括玻璃纤维、布料或填料。