[发明专利]一种抗辐照的4T有源像素及制备方法

权利要求书

1.一种抗辐照的4T有源像素，其特征在于，包括复位管、电荷传输管、源跟随器、行选开关、钳位光电二极管和浮空扩散节点；其中，钳位二极管的光敏区N区、电荷传输管的沟道、浮空扩散节点与有源区边缘之间设置有隔离区，隔离区相连通并注入P型杂质层。

2.如权利要求1所述的抗辐照的4T有源像素，其特征在于，所述的隔离区的宽度为0.4～0.8μm。

3.如权利要求1所述的抗辐照的4T有源像素，其特征在于，所述的隔离区形状来自于同一光刻掩模板，所注入的P型杂质层一次注入。

4.如权利要求1所述的抗辐照的4T有源像素，其特征在于，所述的P型杂质层的杂质峰值浓度不超过钳位光电二极管表面P+层峰值浓度，注入深度深度在STI深度与钳位光敏二极管N埋层深度之间。

5.如权利要求1所述的抗辐照的4T有源像素，其特征在于，所述的注入P型杂质层在包围钳位光电二极管的部分由欧姆接触引出接地，包围浮空扩散节点扩散区的部分不接偏置保持浮空状态。

6.一种抗辐照的4T有源像素的制备方法，其特征在于，包括以下操作：

1）进行STI的刻槽与淀积；

2）进行钳位光敏二极管光敏区N埋层注入；

3）进行浮空扩散节点的掺杂注入；

4）进行钳位光敏二极管的P+层注入；

5）通过光照刻蚀工艺，利用设置有隔离区形状的光刻掩模板，形成相连通的隔离区，将钳位光敏二极管光敏区N埋层、电荷传输管沟道、浮空扩散节点同时与STI边缘隔离开，然后在隔离区注入P杂质层；其离子注入能量保证P杂质层深度在STI深度与钳位光敏二极管N埋层深度之间，离子注入剂量小于钳位光敏二极管P+层离子注入剂量；

6）进行多晶硅淀积及掺杂。

7.如权利要求6所述的抗辐照的4T有源像素的制备方法，其特征在于，所述的光刻掩模板的开窗宽度为0.4～0.8μm。

8.如权利要求6所述的抗辐照的4T有源像素的制备方法，其特征在于，在步骤5）的光照刻蚀中实施正性光刻，在注入P杂质层时选择硼离子进行注入。

9.如权利要求6所述的抗辐照的4T有源像素的制备方法，其特征在于，所述的P杂质层以欧姆接触的形式引出，通过接触孔与金属层相连，并将新P型杂质层偏置在零电位。