[发明专利]整流电路有效
申请号: | 201410081941.2 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN104038084B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | M.费尔德凯勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/23 | 分类号: | H02M7/23 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马丽娜,胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比贝*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整流 电路 | ||
1.一种整流电路,包括:
被配置为接收交变输入信号的电桥电路;以及
耦合于所述电桥电路和输出之间的并联谐振电路。
2.根据权利要求1所述的整流电路,还包括耦合至所述输出并且被配置为提供输出信号的电容性存储元件。
3.根据权利要求2所述的整流电路,其中,使所述并联谐振电路和所述电容性存储元件串联连接。
4.根据权利要求1所述的整流电路,其中,所述交变输入信号具有输入频率,并且其中,所述并联谐振电路具有谐振频率,其中,所述谐振频率是基于所述输入频率的值选择的。
5.根据权利要求4所述的整流电路,其中,所述并联谐振电路的谐振频率是基于电感器的电感和电容器的电容选择的。
6.根据权利要求4所述的整流电路,其中,所述并联谐振电路的谐振频率是基于至少一种关系选择的,所述关系选自由下述构成的组:
0.5·(2·fIN) < fRES < 2·(2·fIN);
0.8·(2·fIN) < fRES < 1.2·(2·fIN); 以及
0.9·(2·fIN) < fRES < 1.1·(2·fIN);
其中,fRES是所述谐振频率,并且fIN是所述输入信号的频率。
7.根据权利要求1所述的整流电路,其中,所述并联谐振电路包括电感器以及与所述电感器并联连接的第二电容性存储元件。
8.根据权利要求7所述的整流电路,其中,所述第二电容性存储元件包括MOS电容器。
9.根据权利要求8所述的整流电路,其中,所述MOS电容器包括:
耦合至第一电容器端子的掺杂半导体衬底;
耦合至第二电容器端子的电极;以及
在所述掺杂半导体衬底和所述电极之间的介电层。
10.根据权利要求1所述的整流电路,还包括变压器,所述变压器包括初级绕组和次级绕组,其中,所述次级绕组被配置为输出所述电桥电路的交变输入信号。
11.根据权利要求1所述的整流电路,其中,所述电桥电路包括:
耦合于第一输入节点和所述电桥电路的第一输出节点和第二输出节点之间的第一半桥;以及
耦合于第二输入节点和所述电桥电路的第一输出节点和第二输出节点之间的第二半桥,
其中,在所述第一和第二输入节点处接收所述交变输入信号。
12.根据权利要求11所述的整流电路,
其中,所述第一半桥包括耦合于所述第一输入节点和所述第一输出节点之间的第一高侧开关以及耦合于所述第一输入节点和所述第二输出节点之间的第一低侧开关,并且
其中,所述第二半桥包括耦合于所述第二输入节点和所述第一输出节点之间的第二高侧开关以及耦合于所述第二输入节点和所述第二输出节点之间的第二低侧开关。
13.根据权利要求12所述的整流电路,
其中,所述第一高侧开关和所述第一低侧开关每者包括耦合至所述第二输入节点的控制端子;并且
其中,所述第二高侧开关和所述第二低侧开关每者包括耦合至所述第一输入节点的控制端子。
14.根据权利要求12所述的整流电路,其中,所述第一高侧开关、所述第一低侧开关、所述第二高侧开关和所述第二低侧开关每者包括晶体管。
15.根据权利要求1所述的整流电路,还包括:
被配置为接收另一交变输入信号的另一电桥电路;以及
耦合于所述另一电桥电路和另一输出之间的另一并联谐振电路,其中,将所述另一输出配置为输出另一输出信号,
其中,使所述电桥电路的输出和所述另一电桥电路的所述另一输出级联连接。
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