[发明专利]具有集成式无源装置的半导体装置及其制造工艺

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；以及

多个集成式无源装置，其设于所述衬底的所述第一表面上，其中所述集成式无源装置包含至少两个电容器，所述至少两个电容器具有不同电容值。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中每一所述电容器包括：

上电极；

下电极；以及

中间绝缘层，其位于所述上电极与所述下电极之间；

其中所述至少两个电容器的所述中间绝缘层具有不同厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电容器中的一者为带通滤波器，且所述电容器中的一者为解耦电容器。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电容器中的一者为射频匹配电路，且所述电容器中的一者为解耦电容器。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少两个电容器的所述电容值之间的差为约100倍。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括导电通道，所述导电通道从所述衬底的所述第一表面及所述第二表面暴露，且所述导电通道电连接到所述电容器中的至少一者。

7.一种半导体装置，其包括：

集成式无源装置，其包括：

衬底；以及

第一电容器，其设于所述衬底上且具有第一电容值；以及

第二电容器，其设于所述衬底上且具有不同于所述第一电容值的第二电容值；

以及

收发器，其具有耦合到所述第一电容器的第一端子及耦合到所述第二电容器的第二端子。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：

所述第一电容器及所述第二电容器各自包括上电极、形成于所述衬底上的下电极及位于所述上电极与所述下电极之间的中间绝缘层；且

所述第一电容器与所述第二电容器的所述中间绝缘层具有不同厚度。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一电容器为带通滤波器，且所述第二电容器为解耦电容器。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一电容器为射频匹配电路，且所述第二电容器为解耦电容器。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一电容器与所述第二电容器的所述电容值之间的差为约100倍。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包括：

第一导电通道，其设于所述衬底内且电连接到所述第一电容器的所述下电极及所述收发器的所述第一端子；以及

第二导电通道，其设于所述衬底内且电连接到所述第二电容器的所述下电极及所述收发器的所述第二端子。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包括：

第一保护层，其部分地覆盖所述衬底、所述第一电容器及所述第二电容器，所述第一保护层具有形成于其中的至少第一及第二开口，其中所述第一电容器的所述上电极的一部分暴露于所述第一开口中，且所述第二电容器的所述上电极的一部分暴露于所述第二开口中；

第一互连金属，其设于所述第一开口中且电连接到所述第一电容器的所述上电极及所述收发器的所述第一端子；以及

第二互连金属，其设于所述第二开口中且电连接到所述第二电容器的所述上电极及所述收发器的所述第二端子。

14.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述集成式无源装置进一步包括电感器，所述电感器形成于所述衬底上且串联地电连接到所述第一电容器。

15.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述集成式无源装置进一步包括电感器，所述电感器形成于所述衬底上且电连接到所述收发器的第三端子。

16.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述衬底界定出相对的第一及第二表面，且所述第一电容器及所述第二电容器各自设于所述衬底的所述第一表面上。